ReRAM市場調査レポート:タイプ別(酸化物ベースのReRAM、導電性ブリッジRAM)、エンドユーザー別(ITおよびテレコム、家電、航空宇宙および防衛、ヘルスケア、その他)および地域別(北米、ヨーロッパ、アジア太平洋、中東、アフリカ、中南米)-2027年までの予測
ID: MRFR/SEM/6928-HCR | 100 Pages | Author: Aarti Dhapte| December 2024
マーケットのあらすじ
世界のReRAM市場は、2018年の3,1060万米ドルから2025年までに6億5,500万米ドルに成長し、予測期間中のCAGRは16%になると予想されています。過去数年以来、抵抗性ランダムアクセスメモリ(ReRAM)などの新しい不揮発性メモリ技術は、その低い読み取りレイテンシと高速な書き込みパフォーマンスのために大きな注目を集めています。人工知能、ハイパフォーマンスコンピューティング (HPC)、IoT デバイスの出現により、生成される大量のデータは高密度で複雑になっています。このデータを効率的に処理するには、革新的なメモリ技術が必要です。半導体企業は、パフォーマンスを向上させながら最新のシステムのエネルギー消費を大幅に削減できるため、人工知能とHPCの要件に対処するためにReRAMを採用しています。したがって、AI、IoT、ビッグデータなどのテクノロジーのための高帯域幅、低消費電力、および高度にスケーラブルなメモリデバイスの必要性は、ReRAM市場の成長を後押ししています。また、ReRAMはNANDフラッシュよりもはるかに消費電力が少ないため、産業用および車載アプリケーション用のセンサーデバイスのメモリに最適です。ReRAMは、メモリ密度が高く、読み取りと書き込みの速度が速く、電力要件が低いため、ソリッドステートドライブ(SSD)や不揮発性デュアルインラインメモリモジュール(NVDIMM)などのアプリケーションの論理的な代替品としてよく引用されます。さらに、コネクテッドデバイスの新興不揮発性メモリに対する需要の高まりは、予測期間中のこの市場の成長を促進すると予想されます。しかし、これらのメモリは複雑なスイッチングメカニズムとエキゾチックな材料に依存しているため、開発には時間がかかります。また、DRAMやフラッシュなどの代替品が利用できるため、ReRAMが市場に足場を築くのが難しくなっています。
ReRAMは、印加される電圧によって抵抗が変化するメモリスタで構成される不揮発性メモリの一種です。ReRAMは、メモリ抵抗が薄いため、フラッシュメモリよりも高いストレージ密度、低消費電力、高速の読み取りおよび書き込み速度、および手頃な価格という大きな可能性を秘めています。市場で入手可能なReRAMの2つの主なタイプは、酸化物ベースのReRAMと導電性ブリッジRAMです。現在、ReRAMは驚異的な可能性を秘めているため、デジタル主流の一部になりつつあります。
主な開発
セグメンテーション
世界のReRAM市場は、タイプ、エンドユーザー、および地域に基づいて分割されています。
タイプに基づいて、市場は酸化物ベースのReRAMと導電性ブリッジRAMに分割されています。
エンドユーザーに基づいて、市場はITとテレコム、家庭用電化製品、航空宇宙と防衛、ヘルスケアなどに分割されています。
世界のReRAM市場は、地域ごとに、北米、ヨーロッパ、アジア太平洋、中東およびアフリカ、中南米に分類されています。
地域分析
世界のReRAM市場は、2019年から2025年までの予測期間中に大幅な成長率で成長すると予測されています。ReRAM市場の地理的分析は、北米、ヨーロッパ、アジア太平洋、中東、アフリカ、中南米で実施されています。
アジア太平洋地域は、2019年から2025年までReRAM市場で最大の市場シェアを保持すると予想されています。この地域内では、中国(台湾を含む)は電子製品の主要生産国であり、市場プレーヤーにとって主要な投資先の1つです。さらに、ReRAMの生産量のかなりのシェアを占めています。北米は、市場プレーヤーの高集中、熟練した技術的専門知識の容易さ、主要なアプリケーション分野でのReRAMの採用拡大により、ReRAM市場で大きなシェアを占めています。
ReRAM マーケット
ソース:MRFR 分析
競合分析
ReRAM市場の著名なプレーヤーは、市場シェアをさらに拡大するための主要な成長戦略として、高密度ReRAM製品の発売を追求しています。たとえば、2019年、富士通セミコンダクター株式会社はパナソニックセミコンダクターソリューションズ株式会社と共同で、データの読み取りがデータの書き込み以上の状況に効果的な8Mb ReRAM不揮発性メモリを発売しました。
キープレイヤー
ReRAM市場の主要なプレーヤーは、クロスバー株式会社(米国)、富士通株式会社(日本)、インテルコーポレーション(米国)、パナソニック株式会社(日本)、セミコンダクターマニュファクチャリングインターナショナルコーポレーション(中国)、SKハイニックス株式会社(サウス)です。韓国)、Adestoテクノロジー株式会社(米国)、マイクロンテクノロジー株式会社(米国)、TSMC(台湾)、4DSメモリリミテッド(米国)、リライアンスメモリ(中国)、ソニー株式会社(日本)、サンディスク(米国)、Weebit Nano(オーストラリア)、およびRambus Incorporated(米国)。
対象読者
Report Attribute/Metric | Details |
Market Size 2027 | USD 655 Million |
CAGR | 16% (2020-2027) |
Base Year | 2019 |
Forecast Period | 2020-2027 |
Historical Data | 2018 |
Forecast Units | Value (USD Million) |
Report Coverage | Revenue Forecast, Competitive Landscape, Growth Factors, and Trends |
Segments Covered | By Type, End-User and Region |
Geographies Covered | North America, Europe, Asia-Pacific, and Rest of the World (RoW) |
Key Vendors | Crossbar Inc. (US), Fujitsu Limited (Japan), Intel Corporation (US), Panasonic Corporation (Japan), Semiconductor Manufacturing International Corporation (China), SK Hynix Inc. (South Korea), Adesto Technologies Corporation (US), Micron Technology, Inc. (US), TSMC (Taiwan), 4DS Memory Limited (US), and Reliance Memory (China), Sony Corporation (Japan), SanDisk (US), Weebit Nano (Australia), and Rambus Incorporated (US). |
Key Market Opportunities | The growing demand for emerging nonvolatile memory in connected devices is expected to fuel the growth of this market during the forecast period. |
Key Market Drivers | ReRAM has great potential for high storage density, lower power usage, greater read and write speeds, and affordable cost than flash memory because of the thinness of memristors. |
Frequently Asked Questions (FAQ) :
The lower read latency and faster write performance are expected to push the market to new heights in terms of its development.
The availability of alternatives like DRAM and flash is expected to create a hindrance to the growth.
The Asia Pacific region is anticipated to sway the market to gain the leading position due to the presence of a large number of manufacturers of electronic products
A 16 % CAGR is expected to unlock the growth potential of the market.
SK Hynix Inc. (South Korea), Semiconductor Manufacturing International Corporation (China), Micron Technology, Inc. (US), Adesto Technologies Corporation (US), and TSMC (Taiwan) are the key contenders in the market.
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