Zusammenfassung des Marktes
Der globale ReRAM-Markt wird voraussichtlich von 310,6 Millionen USD im Jahr 2018 auf 655 Millionen USD bis 2025 wachsen, was einer jährlichen Wachstumsrate von 16% im Prognosezeitraum entspricht. In den letzten Jahren haben neue nichtflüchtige Speichertechnologien wie resistive Random-Access-Memory (ReRAM) aufgrund ihrer geringeren Leselatenz und schnelleren Schreibleistung große Aufmerksamkeit erhalten. Mit dem Aufkommen von künstlicher Intelligenz, High-Performance Computing (HPC) und IoT-Geräten ist eine erhebliche Menge an generierten Daten dicht und komplex. Um diese Daten effizient verarbeiten zu können, sind innovative Speichertechnologien erforderlich. Halbleiterunternehmen setzen ReRAM ein, um die Anforderungen von künstlicher Intelligenz und HPC zu erfüllen, da es den Energieverbrauch moderner Systeme erheblich senken und gleichzeitig die Leistung verbessern kann. Daher fördert der Bedarf an hoher Bandbreite, geringem Stromverbrauch und hoch skalierbaren Speichergeräten für Technologien wie KI, IoT und Big Data das Wachstum des ReRAM-Marktes. Da ReRAM viel weniger Strom verbraucht als NAND-Flash, eignet es sich am besten für den Speicher in Sensorgeräten für Industrie- und Automobilanwendungen. ReRAM wird aufgrund seiner höheren Speicherdichte, schnelleren Lese- und Schreibgeschwindigkeiten und des geringeren Strombedarfs häufig als logischer Ersatz in Anwendungen wie Solid-State-Laufwerken (SSDs) und nichtflüchtigen Dual-Inline-Speichermodulen (NVDIMMs) angeführt. Darüber hinaus wird erwartet, dass die wachsende Nachfrage nach aufstrebenden nichtflüchtigen Speichern in angeschlossenen Geräten das Wachstum dieses Marktes im Prognosezeitraum ankurbeln wird. Da diese Speicher jedoch auf komplizierten Schaltmechanismen und exotischen Materialien beruhen, dauert die Entwicklung länger. Auch die Verfügbarkeit von Alternativen wie DRAM und Flash erschwert es dem ReRAM, auf dem Markt Fuß zu fassen.
ReRAM ist eine Art nichtflüchtiger Speicher, der einen Memristor umfasst, dessen Widerstand in Abhängigkeit von der angelegten Spannung variiert. ReRAM bietet aufgrund der geringen Mem-Widerstände ein großes Potenzial für eine hohe Speicherdichte, einen geringeren Stromverbrauch, höhere Lese- und Schreibgeschwindigkeiten und erschwingliche Kosten als Flash-Speicher. Die beiden wichtigsten auf dem Markt erhältlichen RERAM-Typen sind ReRAM auf Oxidbasis und Conductive Bridging RAM. Derzeit steht ReRAM aufgrund seines enormen Potenzials kurz davor, Teil des digitalen Mainstreams zu werden.
Wichtige Entwicklungen
Segmentierung
Der globale ReRAM-Markt wurde nach Typ, Endbenutzer und Region segmentiert.
Je nach Typ wurde der Markt in ReRAM auf Oxidbasis und Conductive Bridging RAM unterteilt.
Basierend auf Endverbrauchern wurde der Markt in IT & Telekommunikation, Unterhaltungselektronik, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, Gesundheitswesen und andere unterteilt.
Der globale ReRAM-Markt wurde nach Regionen in Nordamerika, Europa, den asiatisch-pazifischen Raum, den Nahen Osten und Afrika sowie Mittel- und Südamerika unterteilt.
Regionale Analyse
Der globale ReRAM-Markt wird im Prognosezeitraum von 2019 bis 2025 voraussichtlich erheblich wachsen. Die geografische Analyse des ReRAM-Marktes wurde für Nordamerika, Europa, den asiatisch-pazifischen Raum, den Nahen Osten und Afrika sowie Mittel- und Südamerika durchgeführt.
Quelle: MRFR-Analyse
Wettbewerbsanalyse
Die prominenten Akteure auf dem ReRAM-Markt verfolgen die Einführung von ReRAM-Produkten mit hoher Dichte als wichtige Wachstumsstrategie, um ihre Marktanteile weiter auszubauen. Zum Beispiel hat Fujitsu Semiconductor Ltd 2019 in Zusammenarbeit mit Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd einen nichtflüchtigen 8-MB-ReRAM-Speicher auf den Markt gebracht, der für das Lesen von Situationsdaten mehr als das Ausschreiben von Daten wirksam ist.
Die wichtigsten Akteure
Die Hauptakteure auf dem ReRAM-Markt sind Crossbar Inc. (USA), Fujitsu Limited (Japan), Intel Corporation (USA), Panasonic Corporation (Japan), Semiconductor Manufacturing International Corporation (China), SK Hynix Inc. (Süden) Korea), Adesto Technologies Corporation (USA), Micron Technology, Inc. (USA), TSMC (Taiwan), 4DS Memory Limited (USA) und Reliance Memory (China), Sony Corporation (Japan), SanDisk (USA), Weebit Nano (Australien) und Rambus Incorporated (USA).
Zielpublikum
| Report Attribute/Metric | Details |
| Market Size 2027 | USD 655 Million |
| CAGR | 16% (2020-2027) |
| Base Year | 2019 |
| Forecast Period | 2020-2027 |
| Historical Data | 2018 |
| Forecast Units | Value (USD Million) |
| Report Coverage | Revenue Forecast, Competitive Landscape, Growth Factors, and Trends |
| Segments Covered | By Type, End-User and Region |
| Geographies Covered | North America, Europe, Asia-Pacific, and Rest of the World (RoW) |
| Key Vendors | Crossbar Inc. (US), Fujitsu Limited (Japan), Intel Corporation (US), Panasonic Corporation (Japan), Semiconductor Manufacturing International Corporation (China), SK Hynix Inc. (South Korea), Adesto Technologies Corporation (US), Micron Technology, Inc. (US), TSMC (Taiwan), 4DS Memory Limited (US), and Reliance Memory (China), Sony Corporation (Japan), SanDisk (US), Weebit Nano (Australia), and Rambus Incorporated (US). |
| Key Market Opportunities | The growing demand for emerging nonvolatile memory in connected devices is expected to fuel the growth of this market during the forecast period. |
| Key Market Drivers | ReRAM has great potential for high storage density, lower power usage, greater read and write speeds, and affordable cost than flash memory because of the thinness of memristors. |
Frequently Asked Questions (FAQ) :
The lower read latency and faster write performance are expected to push the market to new heights in terms of its development.
The availability of alternatives like DRAM and flash is expected to create a hindrance to the growth.
The Asia Pacific region is anticipated to sway the market to gain the leading position due to the presence of a large number of manufacturers of electronic products
A 16 % CAGR is expected to unlock the growth potential of the market.
SK Hynix Inc. (South Korea), Semiconductor Manufacturing International Corporation (China), Micron Technology, Inc. (US), Adesto Technologies Corporation (US), and TSMC (Taiwan) are the key contenders in the market.
Team Lead - Research she holds an experience of about 6+ years in market research and business consulting, working under the spectrum of information communication technology, telecommunications and semiconductor domains. aarti conceptualizes and implements a scalable business strategy and provides strategic leadership to the clients. her expertise lies in market estimation, competitive intelligence, pipeline analysis, customer assessment, etc.
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