• Cat-intel
  • MedIntelliX
  • Consulting
  • Resources
  • About Us
  • News
  • Careers
  • Contact Us
  • Login
    • Request Free Sample ×
    GaN Semiconductor Devices Market Research Report- Global Forecast to 2032 Infographic

    Kindly complete the form below to receive a free sample of this Report

    Leading companies partner with us for data-driven Insights

    clients tt-cursor

    GaN Semiconductor Devices Market

    ID: MRFR/SEM/0668-CR
    188 Pages
    Ankit Gupta
    October 2023

    Informe de investigación de mercado de Dispositivos semiconductores de nitruro de galio por tipo de dispositivo (dispositivos de alimentación, dispositivos optoelectrónicos, dispositivos de RF), por aplicación (electrónica de consumo, telecomunicaciones, automoción, industrial), por tipo de embalaje (dispositivos discretos, dispositivos integrados, dispositivos modulares), por material Tipo (GaN sobre silicio, GaN sobre zafiro, GaN sobre SiC), por funcionalidad (alto voltaje, alta frecuencia, alta potencia) y por región (América del Norte, E...

    Share:
    Download PDF ×

    We do not share your information with anyone. However, we may send you emails based on your report interest from time to time. You may contact us at any time to opt-out.

    GaN Semiconductor Devices Market Research Report- Global Forecast to 2032 Infographic
    Purchase Options
    $ 4.950,0
    $ 5.950,0
    $ 7.250,0
    Compare License
    Table of Contents

    Panorama general del mercado global de dispositivos semiconductores de GaN

    El tamaño del mercado de dispositivos semiconductores de GaN se valoró en 10 998,5 millones de dólares en 2023. Se proyecta que la industria de dispositivos semiconductores de GaN crezca de 13 253,19 millones de dólares en 2024 a 60 234,2 millones de dólares en 2032, con una tasa de crecimiento anual compuesta (TCAC) del 20,83 % durante el período de pronóstico (2024-2032).

    El nitruro de galio (GaN) es un semiconductor binario de banda prohibida directa III/V, ideal para transistores de alta potencia capaces de operar a altas temperaturas. Es un semiconductor de banda prohibida amplia, muy duro y mecánicamente estable, que supera significativamente a los dispositivos de silicio en términos de resistencia a la ruptura, velocidad de conmutación, conductividad térmica y resistencia de encendido. El GaN está comenzando a adoptarse debido a sus propiedades superiores a las de los dispositivos de silicio, como sus excelentes características de alta frecuencia. A medida que aumenta la demanda mundial de energía, la transición a la tecnología de GaN ayudará a satisfacerla, manteniendo al mismo tiempo las emisiones de carbono al mínimo. Se ha demostrado que el diseño y la integración de GaN ofrecen semiconductores de potencia de última generación con una huella de carbono diez veces menor que la de los chips de silicio más antiguos y lentos.

    Descripción general del mercado de dispositivos semiconductores de GaN

    Fuente: Investigación secundaria, investigación primaria, base de datos MRFR y revisión de analistas

    Oportunidad de mercado en dispositivos semiconductores de GaN

      • Aplicaciones en vehículos eléctricos e híbridos

    Se prevé que el mercado de dispositivos semiconductores de GaN se desarrolle en el futuro debido al creciente uso de vehículos eléctricos e híbridos. Un vehículo con un motor eléctrico alimentado por una batería que puede cargarse externamente se denomina coche eléctrico.Los vehículos eléctricos utilizan transistores de potencia de alta eficiencia y circuitos integrados hechos de semiconductores de nitruro de galio. Los dispositivos semiconductores de GaN ofrecen varias ventajas sobre el silicio, como una brecha de banda triple y una intensidad de campo eléctrico de ruptura diez veces mayor en aplicaciones de vehículos eléctricos.

    Por ejemplo, la Administración de Información Energética (EIA), una agencia gubernamental estadounidense encargada de recopilar, analizar y difundir información energética, informó en octubre de 2021 que había 1310 millones de vehículos ligeros (VLM) en uso en todo el mundo en 2020 y que se prevé que habrá 2210 millones de VLM para 2050. De igual forma, se prevé que la cantidad de coches eléctricos (VE), o cualquier VLM con puerto de carga, aumentará del 0,7 % de la flota mundial de VLM en 2020 al 31 % en 2050, o 672 millones de vehículos. Como resultado, el mercado de dispositivos semiconductores de GaN se ve impulsado por el creciente uso de vehículos eléctricos e híbridos.

    Información sobre los segmentos de componentes del mercado de dispositivos semiconductores de GaN:

    Dispositivos semiconductores de GaN: información sobre dispositivos

    Según el dispositivo, la segmentación del mercado de dispositivos semiconductores de GaN incluye transistores, diodos, rectificadores, circuitos integrados de potencia, fuentes de alimentación e inversores, amplificadores, iluminación y láser, sistemas de conmutación y otros. El segmento de transistores tuvo la mayor participación en 2022, contribuyendo con aproximadamente el 28,0 % a los ingresos del mercado. El segmento de transistores tuvo la mayor participación de mercado. Los transistores de potencia basados ​​en nitruro de galio se han vuelto más populares debido a la creciente demanda de transistores de potencia para estaciones base de telecomunicaciones, especialmente en el floreciente mercado de la tecnología 4G. La importante cuota de mercado del segmento de transistores se ha visto influenciada por el abandono de los transistores convencionales de silicio, que son más eficientes y pueden gestionar altas demandas de potencia y frecuencia.

    Análisis de la vertical de dispositivos semiconductores de GaN

    Según la vertical, la segmentación del mercado de dispositivos semiconductores de GaN incluye los sectores automotriz, industrial, de defensa y aeroespacial, electrónica de consumo, telecomunicaciones, médico y otros. El segmento de electrónica de consumo tuvo la mayor participación en 2022, aportando aproximadamente un 25,9 % a los ingresos del mercado. Los dispositivos semiconductores de GaN se están abriendo paso de forma lenta pero constante en diversas categorías de productos de consumo, como portátiles, pantallas, dispositivos móviles, etc., lo que acelera el crecimiento de los ingresos. Debido a la popularidad de la iluminación de alto brillo y la conversión y conmutación de energía efectivas en los segmentos de consumo, se prevé que muchos sectores de esta industria generen una enorme demanda de dispositivos opto-semiconductores de GaN y semiconductores de potencia.

    Dispositivos Semiconductores de GaN

    Fuente: Investigación Secundaria, Investigación Primaria, Base de Datos MRFR y Revisión de Analistas

    Información sobre el Tamaño de Oblea de Dispositivos Semiconductores de GaN

    Según el Tamaño de Oblea, la segmentación del mercado de dispositivos semiconductores de GaN incluye 2 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas y más de 6 pulgadas. Por tamaño de oblea, el segmento de 4 pulgadas ostentaba la mayor participación de mercado en 2022, con un 33,4 %. La categoría de obleas de 4 pulgadas mantuvo la mayor participación de mercado durante el período de pronóstico. Esta expansión se debe a la creciente demanda de equipos optoelectrónicos, interfaces de telecomunicaciones, amplificadores de alta potencia y equipos de alta temperatura. También se espera que la versatilidad de un sustrato de 4 pulgadas para aplicaciones de comunicación espacial impulse la expansión.

    Información sobre los tipos de dispositivos semiconductores de GaN

    Según el tipo, la segmentación del mercado de dispositivos semiconductores de GaN incluye semiconductores de potencia, semiconductores de RF y semiconductores ópticos. Por tipo, el segmento de semiconductores ópticos mantuvo la mayor participación de mercado en 2022, con un 35,7 %. El segmento de semiconductores ópticos representó la mayor participación de mercado. Este mercado está impulsado principalmente por la creciente demanda de mayor eficiencia en la electrónica de consumo, incluyendo LED, computadoras, dispositivos electrónicos portátiles y aplicaciones industriales. Además, está ganando reconocimiento en sectores como la salud y la industria automotriz. La creciente demanda de paneles de visualización LED y pantallas de visualización frontal es un impulsor significativo de la expansión de este mercado.

    Figura 2: Mercado de dispositivos semiconductores de GaN, por tipo, 2022 y 2032 (millones de USD)

    Mercado de dispositivos semiconductores de GaN, por tipo, 2022 y 2032

    Fuente: Investigación secundaria, investigación primaria, base de datos MRFR y revisión de analistas

    Perspectivas regionales de dispositivos semiconductores de GaN

    Por región, el estudio proporciona información de mercado en América del Norte, Europa, Asia-Pacífico, Oriente Medio y África, y América del Sur. En términos de ingresos, Asia-Pacífico tuvo la mayor participación, con un 46,9%, en el mercado de dispositivos semiconductores de GaN en 2022 y se espera que mantenga su dominio durante el período de pronóstico. La presencia de actores clave y la atención al desarrollo de infraestructura en la región contribuyen al crecimiento del mercado. Se prevé que el mercado de dispositivos semiconductores de GaN en Asia-Pacífico crezca significativamente durante el período de pronóstico. Debido a la creciente mejora tecnológica y la consiguiente demanda de componentes de radiofrecuencia (RF) eficaces y de alto rendimiento, se prevé que la industria regional de Asia-Pacífico crezca al ritmo más rápido de cualquier mercado regional durante el período proyectado. Países como China y Japón se encuentran entre los principales fabricantes de electrónica de consumo de la región, incluyendo pantallas LED, teléfonos móviles y consolas de videojuegos. Esto impulsa significativamente la expansión del mercado local. Además,

    En junio de 2022- Tata Steel Limited (‘Tata Steel’) anunció que Tata Steel Long Products Limited (‘TSLP’), una subsidiaria de Tata Steel, completó la adquisición del 93,71% en 1 millón de toneladas por año de Neelachal Ispat Nigam Limited (‘NINL’) de MMTC Ltd., NMDC Ltd., MECON Ltd., Bharat Heavy Electricals Ltd., Industrial Promotion and Investment Corporation of Odisha Ltd., Odisha Mining Corporation Ltd., Presidente de la India, Gobierno de Odisha.

    Figura 3: TAMAÑO DEL MERCADO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES GAN POR REGIÓN 2022 y 2032

    TAMAÑO DEL MERCADO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES GAN POR REGIÓN 2022 Y 2032

    Fuente: Investigación secundaria, investigación primaria, base de datos MRFR y análisis de analistas

    Además, los principales países estudiados en el informe de mercado son EE. UU., Canadá, Alemania, Francia, Reino Unido, Italia, España, China, Japón, India, Australia, Corea del Sur y Brasil.

    América del Norte es el segundo mercado más grande de la región. Se prevé que América del Norte domine el mercado de dispositivos semiconductores de GaN durante el período de pronóstico debido a las grandes inversiones realizadas en tecnologías de semiconductores de nitruro de galio y al uso generalizado de electrónica sofisticada en la región en diversos sectores comerciales. Se prevé que las iniciativas gubernamentales de desarrollo de dispositivos semiconductores de potencia basados ​​en GaN aumenten el interés en los sistemas MBE en Norteamérica. Se espera que Europa experimente el mayor crecimiento en el mercado de dispositivos semiconductores de GaN durante el período de pronóstico debido al aumento de la demanda de dispositivos semiconductores por parte de las fuerzas armadas, los servicios médicos de emergencia y la explotación de petróleo y gas en alta mar. Además, la industria aeroespacial y varias empresas reconocidas están impulsando la expansión del mercado de dispositivos semiconductores de GaN en la región. El creciente mercado de la electrónica de consumo también está impactando la industria de dispositivos semiconductores de GaN en la región. Se prevé que el mercado de dispositivos semiconductores de GaN en el resto del mundo crezca sustancialmente durante el período de pronóstico debido a las importantes inversiones realizadas en tecnologías de semiconductores de nitruro de galio y al amplio uso de la electrónica moderna en los diferentes sectores de la región. Análisis de la competencia

    Con una sólida presencia en diferentes tipos y geografías, el mercado de dispositivos semiconductores de GaN es altamente competitivo y está dominado por proveedores especializados consolidados. Estos proveedores cuentan con una sólida presencia geográfica y un ecosistema de socios para atender a diversos segmentos de clientes. El mercado de dispositivos semiconductores de GaN es altamente competitivo, con numerosos proveedores que ofrecen productos y servicios similares.

    Entre los principales actores del mercado se encuentran Fujitsu Ltd., Panasonic Corporation, Texas Instruments, Osram Opto-Semiconductors, Cree Incorporate, Toshiba, AixtronSE, Infineon Technologies, ROHM Company Limited, NXP Semiconductors, KoninklijkePhilips N.V., entre otros. Philips es una empresa líder en innovación en la industria de los semiconductores y desarrolla constantemente nuevas tecnologías basadas en GaN. Por ejemplo, en 2022, Philips anunció el desarrollo de un nuevo transistor de potencia de GaN, considerado el más eficiente del mundo. Philips ofrece diversos productos basados ​​en GaN, como transistores de potencia, amplificadores de RF y LED. Esto le permite satisfacer las necesidades de una amplia gama de clientes, desde fabricantes de electrónica de consumo hasta usuarios industriales de energía.Qorvo es un proveedor líder de dispositivos semiconductores de GaN, conocido por sus productos de alto rendimiento. Por ejemplo, sus transistores de potencia de GaN se encuentran entre los más eficientes del mundo. Qorvo ofrece diversos productos basados ​​en GaN, incluyendo transistores de potencia, amplificadores de RF y módulos frontales. Esto le permite satisfacer las necesidades de una amplia gama de clientes, desde fabricantes de electrónica de consumo hasta usuarios industriales de energía. El mercado de dispositivos semiconductores de GaN es un mercado consolidado debido a la creciente competencia, adquisiciones, fusiones y otros desarrollos y decisiones estratégicas del mercado para mejorar la eficacia operativa.

    Entre las empresas clave del mercado de dispositivos semiconductores de GaN se incluyen

      • Panasonic Corporation
      • Texas Instruments
      • Osram Opto-Semiconductors
      • Cree Incorporar
      • Toshiba
      • AixtronSE
      • Tecnologías Infineon
      • ROHM Company Limited
      • Semiconductores NXP
      • KoninklijkePhilips N.V.
      • Qorvo
      • Corporación de Conversión de Energía Eficiente
      • Empresa de fabricación de semiconductores de Taiwán
      • Corporación Intel
      • FUNDICIONES GLOBALES
      • Semiconductores Manufacturing International Corp.

    Desarrollos de la industria de dispositivos semiconductores de GaN

    Abril de 2024: Weltrend Semiconductor y Transphorm, la empresa de GaN, publicaron dos nuevos sistemas en paquete (SiP) de GaN, creados especialmente para adaptadores de corriente USB-C de bajo perfil y alto rendimiento que podrían usarse con dispositivos como teléfonos inteligentes, tabletas, computadoras portátiles, auriculares, drones, altavoces o cámaras. Estos novedosos dispositivos representan la primera familia de productos SiP basada en la plataforma SuperGaN de Transphorm, al combinarse con el SiP GaN insignia de Weltrend, presentado el año pasado.

    Septiembre de 2023: Gallium Semiconductor lanzó un transistor de alta movilidad electrónica (HEMT) discreto de GaN sobre SiC preadaptado de 2,4-2,5 GHz y 300 W, el amplificador de onda continua ISM GTH2e-2425300P, diseñado para una amplia gama de aplicaciones industriales, científicas y médicas, incluyendo, entre otras, fuentes de plasma semiconductor, así como equipos de deposición química en fase de vapor por plasma de microondas (MPCVD) para la producción de diamantes sintéticos. Hasta ahora, no se había alcanzado un nivel de eficiencia tan alto en potencia de RF. Opera en el rango de frecuencia de 2,4 GHz a 2,5 GHz y se alimenta mediante una línea de alimentación de 50 V, lo que ofrece una eficiencia que revoluciona todos los parámetros conocidos sobre potencia de RF. Este HEMT encarna todo lo que representan: dedicación a la mejora del rendimiento de radiofrecuencia con productos como este, que alcanzan eficiencias máximas de más del setenta y cinco por ciento en tiempos de operación en modo pulsado de diez microsegundos y un cien por ciento. ROHM Co Ltd., fabricante japonés de semiconductores de potencia, anunció en agosto de 2023 el desarrollo de los circuitos integrados de etapa de potencia EcoGaN de la serie BM3G0xxMUV-LB, con controlador de puerta integrado, optimizado para fuentes de alimentación primarias en aplicaciones industriales y de consumo, como servidores de datos, entre otras. Los sectores de consumo e industrial exigen cada vez más un mayor ahorro energético en consonancia con los objetivos de sostenibilidad a nivel mundial; sin embargo, la miniaturización, al tiempo que mejora la eficiencia, no debe comprometer la fiabilidad. Por lo tanto, el manejo de la compuerta de los HEMT de GaN en comparación con los MOSFET de silicio requiere una atención especial, lo que requiere un controlador de compuerta dedicado.

    Abril de 2022: Durante el Foro Nacional de Petróleo y Gas celebrado en Moscú, TMK anunció que se centra en el lanzamiento de nuevos grados de acero para tuberías utilizadas para inyectar dióxido de carbono bajo tierra para la protección contra la corrosión y la confiabilidad operativa en las instalaciones de I+D de TMK.

    Abril de 2022: TMK anunció la adquisición de Chelpipe. Esta adquisición incluye activos de producción, distribución y servicio, unidades de recolección y procesamiento de chatarra, y otros activos involucrados en las operaciones de los sistemas de tuberías troncales de Chelpipe.

    Segmentación del mercado de dispositivos semiconductores de GaN

    Perspectiva de los dispositivos semiconductores de GaN

      • Transistor
      • Diodo
      • Rectificador
      • CI de potencia
      • Alimentación e inversor
      • Amplificadores
      • Iluminación y láser
      • Conmutación Sistemas
      • Otros

    Perspectiva vertical de los dispositivos semiconductores GaN

      • Automoción
      • Industrial
      • Defensa y defensa Aeroespacial
      • Electrónica de consumo
      • Telecomunicaciones
      • Médico
      • Otros

    Perspectiva del tamaño de la oblea de los dispositivos semiconductores GaN

      • 2 pulgadas
      • 4 pulgadas
      • 6 pulgadas
      • Más de 6 pulgadas

    Tipo de dispositivos semiconductores GaN Outlook

      • Semiconductores de potencia
      • RF semiconductores
      • Opto semiconductores

    Perspectiva regional de dispositivos semiconductores GaN

      • América del Norte
        • EE.UU.
        • Canadá
      • Europa
        • Reino Unido
        • Alemania
        • Francia
        • Italia
        • España
        • Resto de Europa
      • Asia-Pacífico
        • China
        • Japón
        • India
        • Australia
        • Corea del Sur
        • Resto de Asia Pacífico
      • FILA
        • América Latina
        • Oriente Medio y África África

    ÍNDICE


    1 RESUMEN EJECUTIVO 16
    1.1 ANÁLISIS DEL ATRACTIVO DEL MERCADO 17
    1.1.1 MERCADO GLOBAL DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES GAN, POR DISPOSITIVO 17
    1.1.2 MERCADO GLOBAL DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES GAN, POR VERTICAL 18
    1.1.3 MERCADO GLOBAL DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES GAN, POR TAMAÑO DE OBLEA 19
    1.1.4 MERCADO GLOBAL DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES GAN, POR TIPO 20
    1.1.5 MERCADO GLOBAL DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES GAN, POR REGIÓN 21
    2 INTRODUCCIÓN AL MERCADO 22
    2.1 DEFINICIÓN 22
    2.2 ALCANCE DEL ESTUDIO 22
    2.3 OBJETIVO DE LA INVESTIGACIÓN 22
    2.4 ESTRUCTURA DEL MERCADO 23
    3 METODOLOGÍA DE LA INVESTIGACIÓN 24
    3.1 MINERÍA DE DATOS 24
    3.2 INVESTIGACIÓN SECUNDARIA 25
    3.3 INVESTIGACIÓN PRIMARIA 25
    3.3.1 ENTREVISTAS PRIMARIAS Y PROCESO DE RECOPILACIÓN DE INFORMACIÓN 26
    3.3.2 DESGLOSE DE LOS ENCUESTADOS PRIMARIOS 26
    3.4 METODOLOGÍA DE LA INVESTIGACIÓN PARA LA ESTIMACIÓN DEL TAMAÑO DEL MERCADO 28
    3.4.1 ENFOQUE DE ABAJO HACIA ARRIBA 29
    3.4.2 ENFOQUE DE ABAJO HACIA ARRIBA 29
    3.5 VALIDACIÓN DE DATOS 30
    3.6 SUPUESTOS Y LIMITACIONES 30
    4 DINÁMICA DEL MERCADO 31
    4.1 INTRODUCCIÓN 31
    4.2 IMPULSORES 32
    4.2.1 CRECIENTE ADOPCIÓN DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE RF GAN EN EL EJÉRCITO 32
    4.2.2 DEMANDA DE SEMICONDUCTORES DE POTENCIA GAN EN ELECTRÓNICA DE CONSUMO Y AUTOMOCIÓN 32
    4.3 RESTRICCIÓN 33
    4.3.1 DISPONIBILIDAD DE SUSTITUTOS 33
    4.4 OPORTUNIDADES 33
    4.4.1 APLICACIONES EN VEHÍCULOS ELÉCTRICOS E HÍBRIDOS 33
    4.4.2 ADVENIMIENTO DE LA RED 5G 34
    4.5 ANÁLISIS DE IMPACTO DE LA COVID-19 34
    4.5.1 IMPACTO EN LOS FABRICANTES DE SEMICONDUCTORES 34
    4.5.2 IMPACTO EN LOS FABRICANTES DE COMPONENTES 34
    4.5.3 IMPACTO EN LOS FABRICANTES DE DISPOSITIVOS 34
    4.5.4 IMPACTO EN LOS RETRASOS EN LA CADENA DE SUMINISTRO 34
    5 ANÁLISIS DE FACTORES DE MERCADO 35
    5.1 ANÁLISIS DE LA CADENA DE SUMINISTRO 35
    5.1.1 MATERIAS PRIMAS 35
    5.1.2 FABRICACIÓN DE OBLEAS DE GAN 36
    5.1.3 FABRICACIÓN DE DISPOSITIVOS 36
    5.1.4 DISTRIBUCIÓN 36
    5.1.5 USUARIOS FINALES 36
    5.2 MODELO DE LAS CINCO FUERZAS DE PORTER 37
    5.2.1 PODER DE NEGOCIACIÓN DE LOS PROVEEDORES 37
    5.2.2 PODER DE NEGOCIACIÓN DE LOS COMPRADORES 38
    5.2.3 AMENAZA DE NUEVOS ENTRANTES 38
    5.2.4 AMENAZA DE SUSTITUTOS 38
    5.2.5 INTENSIDAD DE LA RIVALIDAD 38
    6 MERCADO GLOBAL DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES GAN, POR DISPOSITIVO 39
    6.1 INTRODUCCIÓN 39
    6.2 TRANSISTOR 40
    6.3 DIODO 40
    6.4 RECTIFICADOR 40
    6.5 CI DE POTENCIA 40
    6.6 FUENTE E INVERSOR 40
    6.7 AMPLIFICADORES 41
    6.8 ILUMINACIÓN Y LÁSER 41
    6.9 SISTEMAS DE CONMUTACIÓN 41
    7 MERCADO GLOBAL DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES GAN, POR VERTICAL 42
    7.1 INTRODUCCIÓN 42
    7.2 AUTOMOTRIZ 43
    7.3 INDUSTRIAL 43
    7.4 DEFENSA Y AEROESPACIAL 43
    7.5 ELECTRÓNICA DE CONSUMO 43
    7.6 TELECOMUNICACIONES 44
    7.7 MEDICINA 44
    8 MERCADO GLOBAL DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES GAN, POR TAMAÑO DE OBLEA 45
    8.1 INTRODUCCIÓN 45
    8.2 2 PULGADAS 46
    8.3 4 PULGADAS 46
    8.4 6 PULGADAS 46
    8.5 MÁS DE 6 PULGADAS 46
    9 MERCADO GLOBAL DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES GAN, POR TIPO 47
    9.1 INTRODUCCIÓN 47
    9.2 SEMICONDUCTORES DE POTENCIA 48
    9.3 SEMICONDUCTORES DE RF 48
    9.4 OPTOSEMICONDUCTORES 48
    10 MERCADO MUNDIAL DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES GAN, POR REGIÓN 49
    10.1 INTRODUCCIÓN 49
    10.2 AMÉRICA DEL NORTE 50
    10.2.1 EE. UU. 53
    10.2.2 CANADÁ 55
    10.2.3 MÉXICO 57
    10.3 EUROPA 59
    10.3.1 ALEMANIA 62
    10.3.2 FRANCIA 64
    10.3.3 REINO UNIDO 66
    10.3.4 ITALIA 68
    10.3.5 ESPAÑA 70
    10.3.6 RESTO DE EUROPA 72
    10.4 ASIA PACÍFICO 74
    10.4.1 CHINA 77
    10.4.2 INDIA 79
    10.4.3 JAPÓN 81
    10.4.4 COREA DEL SUR 83
    10.4.5 RESTO DE ASIA PACÍFICO 85
    10.5 RESTO DEL MUNDO 87
    10.5.1 LATAM 90
    10.5.2 MEA 92
    11 PANORAMA COMPETITIVO 94
    11.1 DESCRIPCIÓN GENERAL DE LA COMPETENCIA 94
    11.2 ANÁLISIS COMPETITIVO DE REFERENCIA 95
    11.3 ANÁLISIS DE CUOTA DE MERCADO 96
    11.4 DESARROLLOS CLAVE Y ESTRATEGIAS DE CRECIMIENTO 96
    11.4.1 LANZAMIENTO DE NUEVOS PRODUCTOS/IMPLEMENTACIÓN DE SERVICIOS 96
    11.4.2 FUSIÓN Y ADQUISICIÓN 97
    11.4.3 EMPRESAS CONJUNTAS 97
    11.4.4 EXPANSIÓN 98
    12 PERFILES DE EMPRESAS 99
    12.1 KONINKLIJKE PHILIPS N.V. 99
    12.1.1 DESCRIPCIÓN GENERAL DE LA EMPRESA 99
    12.1.2 DESCRIPCIÓN FINANCIERA 100
    12.1.3 PRODUCTOS OFRECIDOS 100
    12.1.4 ANÁLISIS FODA 101
    12.1.5 ESTRATEGIA CLAVE 101
    12.2 QORVO 102
    12.2.1 DESCRIPCIÓN GENERAL DE LA EMPRESA 102
    12.2.2 DESCRIPCIÓN FINANCIERA 102
    12.2.3 PRODUCTOS OFRECIDOS 103
    12.2.4 ANÁLISIS FODA 103
    12.2.5 ESTRATEGIA CLAVE 104
    12.3 EFFICIENT POWER CONVERSION CORPORATION 105
    12.3.1 DESCRIPCIÓN GENERAL DE LA EMPRESA 105
    12.3.2 PRODUCTOS OFRECIDOS 105
    12.3.3 ANÁLISIS FODA 106
    12.3.4 ESTRATEGIA CLAVE 106
    12.4 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY 107
    12.4.1 DESCRIPCIÓN GENERAL DE LA EMPRESA 107
    12.4.2 PRODUCTOS OFRECIDOS 107
    12.4.3 DESARROLLOS CLAVE 108
    12.4.4 ANÁLISIS FODA 108
    12.4.5 ESTRATEGIA CLAVE 108
    12.5 INTEL CORPORATION 109
    12.5.1 DESCRIPCIÓN GENERAL DE LA EMPRESA 109
    12.5.2 GANANCIAS FINANCIERAS

    Segmentación del mercado de dispositivos semiconductores de GaN

    • Dispositivos semiconductores de GaN a nivel mundial, por perspectiva de dispositivo (millones de USD, 2018-2032)
      • Transistor
      • Diodo
      • Rectificador
      • CI de potencia
      • Fuente e inversor
      • Amplificadores
      • Iluminación y láser
      • Sistemas de conmutación
      • Otros
    • Dispositivos semiconductores de GaN a nivel mundial, por perspectiva vertical (millones de USD, 2018-2032)
      • Automotriz
      • Industrial
      • Defensa y aeroespacial
      • Electrónica de consumo
      • Telecomunicaciones
      • Medicina
      • Otros
    • Proyección global de dispositivos semiconductores de GaN por tamaño de oblea (millones de USD, 2018-2032)
      • 2 pulgadas
      • 4 pulgadas
      • 6 pulgadas
      • Más de 6 pulgadas
    • Proyección global de dispositivos semiconductores de GaN por tipo (millones de USD, 2018-2032)
      • Semiconductores de potencia
      • Semiconductores de radiofrecuencia
      • Optosemiconductores

    GaN global Perspectiva regional de dispositivos semiconductores (millones de USD, 2018-2032)

    • Perspectiva de América del Norte (millones de USD, 2018-2032)
    • Perspectiva de dispositivos semiconductores de GaN en América del Norte por dispositivo (millones de USD, 2018-2032)
      • Transistor
      • Diodo
      • Rectificador
      • CI de potencia
      • Fuente e inversor
      • Amplificadores
      • Iluminación y láser
      • Sistemas de conmutación
      • Otros
    • Perspectiva vertical de dispositivos semiconductores de GaN en América del Norte (millones de USD, 2018-2032)
      • Automotriz
      • Industrial
      • Defensa y Aeroespacial
      • Electrónica de consumo
      • Telecomunicaciones
      • Medicina
      • Otros
    • Perspectiva de dispositivos semiconductores de GaN en América del Norte por tamaño de oblea (millones de USD, 2018-2032)
      • 2 pulgadas
      • 4 pulgadas
      • 6 pulgadas
      • Más de 6 pulgadas
    • Perspectiva de dispositivos semiconductores de GaN en América del Norte por tipo (millones de USD, 2018-2032)
      • Semiconductores de potencia
      • Semiconductores de radiofrecuencia
      • Opto Semiconductores

     

    • Perspectiva de EE. UU. (millones de USD, 2018-2032)
    • Perspectiva de dispositivos semiconductores de GaN en EE. UU. por dispositivo (millones de USD, 2018-2032)
      • Transistor
      • Diodo
      • Rectificador
      • CI de potencia
      • Fuente e inversor
      • Amplificadores
      • Iluminación y láser
      • Sistemas de conmutación
      • Otros
    • Perspectiva de dispositivos semiconductores de GaN en EE. UU. por sector vertical (millones de USD, 2018-2032)
      • Automotriz
      • Industrial
      • Defensa y Aeroespacial
      • Electrónica de consumo
      • Telecomunicaciones
      • Medicina
      • Otros
    • Perspectiva de dispositivos semiconductores de GaN en EE. UU. por tamaño de oblea (millones de USD, 2018-2032)
      • 2 pulgadas
      • 4 pulgadas
      • 6 pulgadas
      • Más de 6 pulgadas
    • Perspectiva de dispositivos semiconductores de GaN en EE. UU. por tipo (millones de USD, 2018-2032)
      • Semiconductores de potencia
      • Semiconductores de radiofrecuencia
      • Optosemiconductores
    • Perspectiva para Canadá (millones de USD, 2018-2032)
    • Dispositivos semiconductores de nitruro de galio (GaN) en Canadá, por perspectiva de dispositivo (millones de USD, 2018-2032)
      • Transistor
      • Diodo
      • Rectificador
      • CI de potencia
      • Fuente e inversor
      • Amplificadores
      • Iluminación y láser
      • Sistemas de conmutación
      • Otros
    • Dispositivos semiconductores de nitruro de galio (GaN) en Canadá, por perspectiva vertical (millones de USD, 2018-2032)
      • Automotriz
      • Industrial
      • Defensa y Aeroespacial
      • Electrónica de consumo
      • Telecomunicaciones
      • Médico
      • Otros
    • Proyección de dispositivos semiconductores de GaN en Canadá, por tamaño de oblea (millones de USD, 2018-2032)
      • 2 pulgadas
      • 4 pulgadas
      • 6 pulgadas
      • Más de 6 pulgadas
    • Proyección de dispositivos semiconductores de GaN en Canadá, por tipo (millones de USD, 2018-2032)
      • Semiconductores de potencia
      • Semiconductores de radiofrecuencia
      • Optosemiconductores
    • Proyección para México (millones de USD, 2018-2032)
    • Dispositivos semiconductores de GaN en México, por perspectiva de dispositivo (millones de USD, 2018-2032)
      • Transistor
      • Diodo
      • Rectificador
      • CI de potencia
      • Fuente e inversor
      • Amplificadores
      • Iluminación y láser
      • Sistemas de conmutación
      • Otros
    • Dispositivos semiconductores de GaN en México, por perspectiva vertical (millones de USD, 2018-2032)
      • Automotriz
      • Industrial
      • Defensa y Aeroespacial
      • Electrónica de consumo
      • Telecomunicaciones
      • Médico
      • Otros
    • Proyección de dispositivos semiconductores de GaN en México, por tamaño de oblea (millones de USD, 2018-2032)
      • 2 pulgadas
      • 4 pulgadas
      • 6 pulgadas
      • Más de 6 pulgadas
    • Proyección de dispositivos semiconductores de GaN en México, por tipo (millones de USD, 2018-2032)
      • Semiconductores de potencia
      • Semiconductores de radiofrecuencia
      • Optosemiconductores
    • Proyección en Europa (millones de USD, 2018-2032)
    • Dispositivos semiconductores de GaN en Europa, por perspectiva de dispositivo (millones de USD, 2018-2032)
      • Transistor
      • Diodo
      • Rectificador
      • CI de potencia
      • Fuente e inversor
      • Amplificadores
      • Iluminación y láser
      • Sistemas de conmutación
      • Otros
    • Dispositivos semiconductores de GaN en Europa, por perspectiva vertical (millones de USD, 2018-2032)
      • Automotriz
      • Industrial
      • Defensa y Aeroespacial
      • Electrónica de consumo
      • Telecomunicaciones
      • Medicina
      • Otros
    • Perspectiva de dispositivos semiconductores de GaN en Europa, por tamaño de oblea (millones de USD, 2018-2032)
      • 2 pulgadas
      • 4 pulgadas
      • 6 pulgadas
      • Más de 6 pulgadas
    • Perspectiva de dispositivos semiconductores de GaN en Europa, por tipo (millones de USD, 2018-2032)
      • Semiconductores de potencia
      • Semiconductores de radiofrecuencia
      • Óptica Semiconductores
    • Perspectivas para Alemania (millones de USD, 2018-2032)
    • Perspectivas de dispositivos semiconductores de GaN en Alemania por dispositivo (millones de USD, 2018-2032)
      • Transistor
      • Diodo
      • Rectificador
      • CI de potencia
      • Fuente e inversor
      • Amplificadores
      • Iluminación y láser
      • Sistemas de conmutación
      • Otros

    Perspectivas de dispositivos semiconductores de GaN en Alemania por sector vertical (millones de USD, 2018-2032)

    • Automotriz
    • Industrial
    • Defensa y Aeroespacial
    • Electrónica de consumo
    • Telecomunicaciones
    • Medicina
    • Otros
    • Perspectiva de dispositivos semiconductores de GaN en Alemania, por tamaño de oblea (millones de USD, 2018-2032)
      • 2 pulgadas
      • 4 pulgadas
      • 6 pulgadas
      • Más de 6 pulgadas
    • Perspectiva de dispositivos semiconductores de GaN en Alemania, por tipo (millones de USD, 2018-2032)
      • Semiconductores de potencia
      • Semiconductores de radiofrecuencia
      • Optosemiconductores
    • Perspectiva de Francia (USD Millones, 2018-2032)
    • Dispositivos semiconductores de GaN en Francia, por perspectiva de dispositivo (millones de USD, 2018-2032)
      • Transistor
      • Diodo
      • Rectificador
      • CI de potencia
      • Fuente e inversor
      • Amplificadores
      • Iluminación y láser
      • Sistemas de conmutación
      • Otros
    • Dispositivos semiconductores de GaN en Francia, por perspectiva vertical (millones de USD, 2018-2032)
      • Automotriz
      • Industrial
      • Defensa y Aeroespacial
      • Electrónica de consumo
      • Telecomunicaciones
      • Medicina
      • Otros
    • Perspectiva de dispositivos semiconductores de GaN en Francia, por tamaño de oblea (millones de USD, 2018-2032)
      • 2 pulgadas
      • 4 pulgadas
      • 6 pulgadas
      • Más de 6 pulgadas
    • Perspectiva de dispositivos semiconductores de GaN en Francia, por tipo (millones de USD, 2018-2032)
      • Semiconductores de potencia
      • Semiconductores de radiofrecuencia
      • Optosemiconductores
    • Perspectiva en el Reino Unido (USD) Millones, 2018-2032)
    • Dispositivos semiconductores de GaN en el Reino Unido, por perspectiva de dispositivo (millones de USD, 2018-2032)
      • Transistor
      • Diodo
      • Rectificador
      • CI de potencia
      • Fuente e inversor
      • Amplificadores
      • Iluminación y láser
      • Sistemas de conmutación
      • Otros
    • Dispositivos semiconductores de GaN en el Reino Unido, por perspectiva vertical (millones de USD, 2018-2032)
      • Automotriz
      • Industrial
      • Defensa y Aeroespacial
      • Electrónica de consumo
      • Telecomunicaciones
      • Medicina
      • Otros
    • Perspectiva de dispositivos semiconductores de GaN en el Reino Unido por tamaño de oblea (millones de USD, 2018-2032)
      • 2 pulgadas
      • 4 pulgadas
      • 6 pulgadas
      • Más de 6 pulgadas
    • Perspectiva de dispositivos semiconductores de GaN en el Reino Unido por tipo (millones de USD, 2018-2032)
      • Semiconductores de potencia
      • Semiconductores de radiofrecuencia
      • Optosemiconductores
    • Perspectiva para el resto de Europa (Millones de USD, 2018-2032)
    • Dispositivos semiconductores de GaN en el resto de Europa, por perspectiva de dispositivo (Millones de USD, 2018-2032)
      • Transistor
      • Diodo
      • Rectificador
      • CI de potencia
      • Fuente e inversor
      • Amplificadores
      • Iluminación y láser
      • Sistemas de conmutación
      • Otros
    • Dispositivos semiconductores de GaN en el resto de Europa, por perspectiva vertical (Millones de USD, 2018-2032)
      • Automoción
      • Industria
      • Defensa y Aeroespacial
      • Electrónica de consumo
      • Telecomunicaciones
      • Medicina
      • Otros
    • Perspectiva de dispositivos semiconductores de GaN en el resto de Europa, por tamaño de oblea (millones de USD, 2018-2032)
      • 2 pulgadas
      • 4 pulgadas
    • Perspectiva de dispositivos semiconductores de GaN en el resto de Europa, por tipo (millones de USD, 2018-2032)
      • Semiconductores de potencia
      • Semiconductores de radiofrecuencia
      • Optosemiconductores
      • 6 pulgadas
      • Más de 6 pulgadas
    • Perspectivas para Asia-Pacífico (millones de USD, 2018-2032)
    • Perspectivas de dispositivos semiconductores de GaN en Asia-Pacífico por dispositivo (millones de USD, 2018-2032)
      • Transistor
      • Diodo
      • Rectificador
      • CI de potencia
      • Fuente e inversor
      • Amplificadores
      • Iluminación y láser
      • Sistemas de conmutación
      • Otros
    • Perspectivas de dispositivos semiconductores de GaN en Asia-Pacífico por sector vertical (millones de USD, 2018-2032)
      • Automotriz
      • Industrial
      • Defensa y Aeroespacial
      • Electrónica de consumo
      • Telecomunicaciones
      • Medicina
      • Otros
    • Perspectiva de dispositivos semiconductores de GaN en Asia-Pacífico, por tamaño de oblea (millones de USD, 2018-2032)
      • 2 pulgadas
      • 4 pulgadas
      • 6 pulgadas
      • Más de 6 pulgadas
    • Perspectiva de dispositivos semiconductores de GaN en Asia-Pacífico, por tipo (millones de USD, 2018-2032)
      • Semiconductores de potencia
      • Semiconductores de radiofrecuencia
      • Optosemiconductores
      • Perspectiva de China (millones de USD, 2018-2032)
      • Dispositivos semiconductores de GaN en China, por perspectiva de dispositivo (millones de USD, 2018-2032)
        • Transistor
        • Diodo
        • Rectificador
        • CI de potencia
        • Fuente e inversor
        • Amplificadores
        • Iluminación y láser
        • Sistemas de conmutación
        • Otros
      • Dispositivos semiconductores de GaN en China, por perspectiva vertical (millones de USD, 2018-2032)
        • Automotriz
        • Industrial
        • Defensa y Aeroespacial
        • Electrónica de consumo
        • Telecomunicaciones
        • Medicina
        • Otros
      • Perspectiva de dispositivos semiconductores de GaN en China, por tamaño de oblea (millones de USD, 2018-2032)
        • 2 pulgadas
        • 4 pulgadas
        • 6 pulgadas
        • Más de 6 pulgadas
      • Perspectiva de dispositivos semiconductores de GaN en China, por tipo (millones de USD, 2018-2032)
        • Semiconductores de potencia
        • Semiconductores de radiofrecuencia
        • Óptica Semiconductores
    • Perspectivas para India (millones de USD, 2018-2032)
    • Perspectivas para dispositivos semiconductores de GaN en India (millones de USD, 2018-2032)
      • Transistor
      • Diodo
      • Rectificador
      • CI de potencia
      • Fuente e inversor
      • Amplificadores
      • Iluminación y láser
      • Sistemas de conmutación
      • Otros
    • Perspectivas para dispositivos semiconductores de GaN en India (millones de USD, 2018-2032)
      • Automotriz
      • Industrial
      • Defensa y Aeroespacial
      • Electrónica de consumo
      • Telecomunicaciones
      • Medicina
      • Otros
    • Perspectiva de dispositivos semiconductores de GaN en India, por tamaño de oblea (millones de USD, 2018-2032)
      • 2 pulgadas
      • 4 pulgadas
      • 6 pulgadas
      • Más de 6 pulgadas
    • Perspectiva de dispositivos semiconductores de GaN en India, por tipo (millones de USD, 2018-2032)
      • Semiconductores de potencia
      • Semiconductores de radiofrecuencia
      • Optosemiconductores
    • Perspectiva de Japón (USD Millones, 2018-2032)
    • Dispositivos semiconductores de GaN en Japón, por perspectiva de dispositivo (millones de USD, 2018-2032)
      • Transistor
      • Diodo
      • Rectificador
      • CI de potencia
      • Fuente e inversor
      • Amplificadores
      • Iluminación y láser
      • Sistemas de conmutación
      • Otros
    • Dispositivos semiconductores de GaN en Japón, por perspectiva vertical (millones de USD, 2018-2032)
      • Automotriz
      • Industrial
      • Defensa y Aeroespacial
      • Electrónica de consumo
      • Telecomunicaciones
      • Medicina
      • Otros
    • Proyección de dispositivos semiconductores de GaN en Japón por tamaño de oblea (millones de USD, 2018-2032)
      • 2 pulgadas
      • 4 pulgadas
      • 6 pulgadas
      • Más de 6 pulgadas
    • Proyección de dispositivos semiconductores de GaN en Japón por tipo (millones de USD, 2018-2032)
      • Semiconductores de potencia
      • Semiconductores de radiofrecuencia
      • Optosemiconductores
    • Perspectivas para el resto de Asia-Pacífico (millones de USD, 2018-2032)
    • Perspectivas de dispositivos semiconductores de GaN para el resto de Asia-Pacífico (millones de USD, 2018-2032)
      • Transistor
      • Diodo
      • Rectificador
      • CI de potencia
      • Fuente e inversor
      • Amplificadores
      • Iluminación y láser
      • Sistemas de conmutación
      • Otros
    • Perspectivas de dispositivos semiconductores de GaN para el resto de Asia-Pacífico (millones de USD, 2018-2032) 2018-2032)
      • Automotriz
      • Industrial
      • Defensa y Aeroespacial
      • Electrónica de consumo
      • Telecomunicaciones
      • Medicina
      • Otros
    • Perspectiva de dispositivos semiconductores de GaN en el resto de Asia-Pacífico, por tamaño de oblea (millones de USD, 2018-2032)
      • 2 pulgadas
      • 4 pulgadas
      • 6 pulgadas
      • Más de 6 pulgadas
    • Perspectiva de dispositivos semiconductores de GaN en el resto de Asia-Pacífico, por tipo (millones de USD, 2018-2032)
      • Semiconductores de potencia
      • Semiconductores de radiofrecuencia
      • Óptica Semiconductores
    • Perspectivas para Oriente Medio y África (millones de USD, 2018-2032)
    • Perspectivas de dispositivos semiconductores de GaN para Oriente Medio y África, por dispositivo (millones de USD, 2018-2032)
      • Transistor
      • Diodo
      • Rectificador
      • CI de potencia
      • Fuente e inversor
      • Amplificadores
      • Iluminación y láser
      • Sistemas de conmutación
      • Otros
    • Oriente Medio y África Dispositivos semiconductores de GaN en África, por perspectiva vertical (millones de USD, 2018-2032)
      • Automotriz
      • Industrial
      • Defensa y aeroespacial
      • Electrónica de consumo
      • Telecomunicaciones
      • Médico
      • Otros
    • Dispositivos semiconductores de GaN en Oriente Medio y África, por perspectiva de tamaño de oblea (millones de USD, 2018-2032)
      • 2 pulgadas
      • 4 pulgadas
      • 6 pulgadas
      • Más de 6 pulgadas
    • Oriente Medio y Perspectivas de dispositivos semiconductores de GaN en África, por tipo (millones de USD, 2018-2032)
      • Semiconductores de potencia
      • Semiconductores de radiofrecuencia
      • Optosemiconductores
      • Perspectivas de los países del CCG (millones de USD, 2018-2032)
      • Perspectivas de dispositivos semiconductores de GaN en los países del CCG (millones de USD, 2018-2032)
        • Transistor
        • Diodo
        • Rectificador
        • CI de potencia
        • Fuente e inversor
        • Amplificadores
        • Iluminación y láser
        • Conmutación Sistemas
        • Otros
      • Dispositivos semiconductores de nitruro de galio (GaN) en países del CCG, por perspectiva vertical (millones de USD, 2018-2032)
        • Automotriz
        • Industrial
        • Defensa y Aeroespacial
        • Electrónica de consumo
        • Telecomunicaciones
        • Medicina
        • Otros
      • Perspectiva de dispositivos semiconductores de nitruro de galio (GaN) en los países del CCG, por tamaño de oblea (millones de USD, 2018-2032)
        • 2 pulgadas
        • 4 pulgadas
        • 6 pulgadas
        • Más de 6 pulgadas
      • Perspectiva de dispositivos semiconductores de nitruro de galio (GaN) en los países del CCG, por tipo (millones de USD, 2018-2032)
        • Semiconductores de potencia
        • Semiconductores de radiofrecuencia
        • Optosemiconductores
      • Perspectiva de Sudáfrica (millones de USD, 2018-2032)
      • Dispositivos semiconductores de GaN en Sudáfrica, por perspectiva de dispositivo (millones de USD, 2018-2032)
        • Transistor
        • Diodo
        • Rectificador
        • CI de potencia
        • Fuente e inversor
        • Amplificadores
        • Iluminación y láser
        • Sistemas de conmutación
        • Otros
      • Dispositivos semiconductores de GaN en Sudáfrica, por perspectiva vertical (millones de USD, 2018-2032)
        • Automotriz
        • Industrial
        • Defensa y Aeroespacial
        • Electrónica de consumo
        • Telecomunicaciones
        • Medicina
        • Otros
      • Proyección de dispositivos semiconductores de GaN en Sudáfrica, por tamaño de oblea (millones de USD, 2018-2032)
        • 2 pulgadas
        • 4 pulgadas
        • 6 pulgadas
        • Más de 6 pulgadas
      • Proyección de dispositivos semiconductores de GaN en Sudáfrica, por tipo (millones de USD, 2018-2032)
        • Semiconductores de potencia
        • Semiconductores de radiofrecuencia
        • Optosemiconductores
      • Resto de Oriente Medio y Perspectivas para África (millones de USD, 2018-2032)
      • Perspectivas de dispositivos semiconductores de GaN para el resto de Oriente Medio y África (millones de USD, 2018-2032)
        • Transistor
        • Diodo
        • Rectificador
        • CI de potencia
        • Fuente e inversor
        • Amplificadores
        • Iluminación y láser
        • Sistemas de conmutación
        • Otros
      • Resto de Oriente Medio y África Dispositivos semiconductores de GaN en África, por perspectiva vertical (millones de USD, 2018-2032)
        • Automotriz
        • Industrial
        • Defensa y aeroespacial
        • Electrónica de consumo
        • Telecomunicaciones
        • Médico
        • Otros
      • Resto de Oriente Medio y África: Dispositivos semiconductores de GaN, por perspectiva de tamaño de oblea (millones de USD, 2018-2032)
        • 2 pulgadas
        • 4 pulgadas
        • 6 pulgadas
        • Más de 6 pulgadas
      • Resto de Oriente Medio y Perspectivas de dispositivos semiconductores de GaN en África, por tipo (millones de USD, 2018-2032)
        • Semiconductores de potencia
        • Semiconductores de radiofrecuencia
        • Optosemiconductores
      • Perspectivas de Sudamérica (millones de USD, 2018-2032)
      • Perspectivas de dispositivos semiconductores de GaN en Sudamérica, por dispositivo (millones de USD, 2018-2032)
        • Transistor
        • Diodo
        • Rectificador
        • CI de potencia
        • Fuente e inversor
        • Amplificadores
        • Iluminación y láser
        • Conmutación Sistemas
        • Otros
      • Dispositivos semiconductores de GaN en Sudamérica, por perspectiva vertical (millones de USD, 2018-2032)
        • Automotriz
        • Industrial
        • Defensa y Aeroespacial
        • Electrónica de consumo
        • Telecomunicaciones
        • Médico
        • Otros
      • Perspectiva de dispositivos semiconductores de GaN en Sudamérica, por tamaño de oblea (millones de USD, 2018-2032)
        • 2 pulgadas
        • 4 pulgadas
        • 6 pulgadas
        • Más de 6 pulgadas
      • Perspectiva de dispositivos semiconductores de GaN en Sudamérica, por tipo (millones de USD, 2018-2032)
        • Semiconductores de potencia
        • Semiconductores de radiofrecuencia
        • Optosemiconductores
        • Perspectiva para Brasil (millones de USD, 2018-2032)
        • Dispositivos semiconductores de GaN en Brasil, por perspectiva de dispositivo (millones de USD, 2018-2032)
          • Transistor
          • Diodo
          • Rectificador
          • CI de potencia
          • Fuente e inversor
          • Amplificadores
          • Iluminación y láser
          • Sistemas de conmutación
          • Otros
        • Dispositivos semiconductores de GaN en Brasil, por perspectiva vertical (millones de USD, 2018-2032)
          • Automotriz
          • Industrial
          • Defensa y Aeroespacial
          • Electrónica de consumo
          • Telecomunicaciones
          • Medicina
          • Otros
        • Perspectiva de dispositivos semiconductores de GaN en Brasil, por tamaño de oblea (millones de USD, 2018-2032)
          • 2 pulgadas
          • 4 pulgadas
          • 6 pulgadas
          • Más de 6 pulgadas
        • Perspectiva de dispositivos semiconductores de GaN en Brasil, por tipo (millones de USD, 2018-2032)
          • Semiconductores de potencia
          • Semiconductores de radiofrecuencia
          • Optosemiconductores
        • Perspectiva para Chile (millones de USD, 2018-2032)
        • Dispositivos semiconductores de GaN en Chile, por perspectiva de dispositivo (USD millones, 2018-2032)
          • Transistor
          • Diodo
          • Rectificador
          • CI de potencia
          • Fuente e inversor
          • Amplificadores
          • Iluminación y láser
          • Sistemas de conmutación
          • Otros
        • Dispositivos semiconductores de GaN en Chile, por perspectiva vertical (USD millones, 2018-2032)
          • Automotriz
          • Industrial
          • Defensa y Aeroespacial
          • Electrónica de consumo
          • Telecomunicaciones
          • Medicina
          • Otros
        • Proyección de dispositivos semiconductores de GaN en Chile, por tamaño de oblea (millones de USD, 2018-2032)
          • 2 pulgadas
          • 4 pulgadas
          • 6 pulgadas
          • Más de 6 pulgadas
        • Proyección de dispositivos semiconductores de GaN en Chile, por tipo (millones de USD, 2018-2032)
          • Semiconductores de potencia
          • Semiconductores de radiofrecuencia
          • Óptica semiconductores
    • Perspectiva para el resto de Sudamérica (USD millones, 2018-2032)
    • Perspectiva de dispositivos semiconductores de GaN para el resto de Sudamérica (USD millones, 2018-2032)
      • Transistor
      • Diodo
      • Rectificador
      • CI de potencia
      • Fuente e inversor
      • Amplificadores
      • Iluminación y láser
      • Sistemas de conmutación
      • Otros
    • Perspectiva de dispositivos semiconductores de GaN para el resto de Sudamérica (USD millones, 2018-2032)
      • Automotriz
      • Industrial
      • Defensa y Aeroespacial
      • Electrónica de consumo
      • Telecomunicaciones
      • Medicina
      • Otros
    • Perspectiva de dispositivos semiconductores de GaN en el resto de Sudamérica, por tamaño de oblea (millones de USD, 2018-2032)
      • 2 pulgadas
      • 4 pulgadas
      • 6 pulgadas
      • Más de 6 pulgadas
    • Perspectiva de dispositivos semiconductores de GaN en el resto de Sudamérica, por tipo (millones de USD, 2018-2032)
      • Semiconductores de potencia
      • Semiconductores de radiofrecuencia
      • Optosemiconductores
    GaN Semiconductor Devices Market Research Report- Global Forecast to 2032 Infographic
    Free Sample Request

    Kindly complete the form below to receive a free sample of this Report

    Related Reports

    No regional reports available for this market.

    Customer Strories

    “I am very pleased with how market segments have been defined in a relevant way for my purposes (such as "Portable Freezers & refrigerators" and "last-mile"). In general the report is well structured. Thanks very much for your efforts.”

    Victoria Milne Founder
    Case Study

    Chemicals and Materials

    Global Magnesium Sulfate Market – Forecast till 2027