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    GaN Semiconductor Devices Market Research Report- Global Forecast to 2032 Infographic

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    GaN Semiconductor Devices Market

    ID: MRFR/SEM/0668-CR
    188 Pages
    Ankit Gupta
    October 2023

    Marktforschungsbericht für Galliumnitrid-Halbleitergeräte nach Gerätetyp (Leistungsgeräte, optoelektronische Geräte, HF-Geräte), nach Anwendung (Unterhaltungselektronik, Telekommunikation, Automobil, Industrie), nach Verpackungstyp (diskrete Geräte, integrierte Geräte, Modulgeräte), nach Material Typ (GaN-auf-Silizium, GaN-auf-Saphir, GaN-auf-SiC), nach Funktionalität (Hochspannung, Hochfrequenz, Hochleistung) und nach Region (Nordamerika, Europa, Südamerika, Asien-Pazifik, Naher Osten und Afrika) – Prognose bis 2032

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    GaN Semiconductor Devices Market Research Report- Global Forecast to 2032 Infographic
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    Globaler Marktüberblick für GaN-Halbleiterbauelemente

    Der Markt für GaN-Halbleiterbauelemente wurde im Jahr 2023 auf 10.998,5 Millionen USD geschätzt. Die Branche der GaN-Halbleiterbauelemente soll von 13.253,19 Millionen USD im Jahr 2024 auf 60.234,2 Millionen USD im Jahr 2032 wachsen und im Prognosezeitraum (2024–2032) eine durchschnittliche jährliche Wachstumsrate (CAGR) von 20,83 % aufweisen.

    Galliumnitrid (GaN) ist ein binärer III/V-Halbleiter mit direkter Bandlücke, der sich gut für Hochleistungstransistoren eignet, die bei hohen Temperaturen betrieben werden können. Es ist ein sehr harter, mechanisch stabiler Halbleiter mit großer Bandlücke, der siliziumbasierte Bauelemente in Bezug auf Durchschlagfestigkeit, Schaltgeschwindigkeit, Wärmeleitfähigkeit und Einschaltwiderstand deutlich übertrifft. GaN setzt sich aufgrund seiner besseren Eigenschaften als Siliziumbauelemente, beispielsweise der hervorragenden Hochfrequenzeigenschaften, zunehmend durch. Angesichts des steigenden weltweiten Energiebedarfs trägt die Umstellung auf GaN-Technologie dazu bei, den Bedarf zu decken und gleichzeitig die CO2-Emissionen zu minimieren. GaN-Design und -Integration ermöglichen nachweislich Leistungshalbleiter der nächsten Generation mit einem zehnmal geringeren CO2-Fußabdruck als ältere, langsamere Siliziumchips.

    Marktübersicht für GaN-Halbleiterbauelemente

    Quelle: Sekundärforschung, Primärforschung, MRFR-Datenbank und Analystenbewertung

    Marktchancen für GaN-Halbleiterbauelemente

      • Anwendungen in Elektro- und Hybridfahrzeugen

    Der Markt für GaN-Halbleiterbauelemente wird sich aufgrund der zunehmenden Nutzung von Elektro- und Hybridfahrzeugen voraussichtlich in Zukunft weiterentwickeln. Als Elektroauto bezeichnet man ein Fahrzeug mit einem Elektromotor, der von einer extern aufladbaren Batterie angetrieben wird. Elektrofahrzeuge verwenden hocheffiziente Leistungstransistoren und integrierte Schaltkreise aus Galliumnitrid-Halbleitern. GaN-Halbleiterbauelemente bieten gegenüber Silizium mehrere Vorteile, darunter eine dreifach größere Bandlücke und eine zehnfach höhere elektrische Durchbruchfeldstärke bei Anwendungen in Elektrofahrzeugen.

    So berichtete beispielsweise die Energy Information Administration (EIA), eine US-amerikanische Regierungsbehörde, die mit der Erfassung, Analyse und Verbreitung von Energieinformationen beauftragt ist, im Oktober 2021, dass im Jahr 2020 weltweit 1,31 Milliarden leichte Nutzfahrzeuge (LDVs) im Einsatz waren und dass bis 2050 mit 2,21 Milliarden LDVs gerechnet wird. Ebenso wird erwartet, dass die Zahl der Elektroautos (EVs) oder aller LDVs mit Ladeanschluss von 0,7 % der weltweiten LDV-Flotte im Jahr 2020 auf 31 % im Jahr 2050 oder 672 Millionen Fahrzeuge steigen wird. Infolgedessen wird der Markt für GaN-Halbleiterbauelemente durch die zunehmende Nutzung von Elektro- und Hybridfahrzeugen angetrieben.

    Einblicke in das Komponentensegment des Marktes für GaN-Halbleiterbauelemente:

    GaN-Halbleiterbauelemente – Geräteeinblicke

    Basierend auf dem Gerät umfasst die Marktsegmentierung für GaN-Halbleiterbauelemente Transistoren, Dioden, Gleichrichter, Leistungs-ICs, Versorgung und Wechselrichter, Verstärker, Beleuchtung und Laser, Schaltsysteme und Sonstiges. Das Transistorsegment hielt im Jahr 2022 den größten Anteil und trug rund 28,0 % zum Marktumsatz bei. Das Marktsegment Transistoren hatte den höchsten Marktanteil. Leistungstransistoren auf Galliumnitridbasis sind aufgrund der steigenden Nachfrage nach Leistungstransistoren für Telekommunikationsbasisstationen, insbesondere im aufstrebenden Markt mit 4G-Technologie, beliebter geworden. Der beträchtliche Marktanteil des Transistorsegments wurde durch die Abkehr von herkömmlichen Transistoren auf Siliziumbasis beeinflusst, die effizienter sind und hohe Leistungs- und Frequenzanforderungen bewältigen können.

    Vertikale Einblicke in GaN-Halbleiterbauelemente

    Basierend auf der Vertikalen umfasst die Marktsegmentierung für GaN-Halbleiterbauelemente Automobil, Industrie, Verteidigung & Luft- und Raumfahrt, Unterhaltungselektronik, Telekommunikation, Medizin und Sonstiges. Das Segment Unterhaltungselektronik hielt im Jahr 2022 den größten Anteil und trug rund 25,9 % zum Marktumsatz bei. GaN-Halbleiterbauelemente halten langsam aber sicher ihren Weg in verschiedene Produktkategorien für Verbraucher wie Laptops, Displays, Mobilgeräte usw. und beschleunigen so das Umsatzwachstum. Aufgrund der Beliebtheit von heller Beleuchtung und effektiver Leistungsumwandlung und -schaltung in Verbrauchersegmenten wird in vielen Sektoren dieser Branche eine enorme Nachfrage nach GaN-Optohalbleitern und Leistungshalbleitern erwartet.

    GaN-Halbleiter

    Quelle: Sekundärforschung, Primärforschung, MRFR-Datenbank und Analystenbewertung

    Einblicke in die Wafergröße von GaN-Halbleitern

    Basierend auf der Wafergröße umfasst die Marktsegmentierung für GaN-Halbleiter 2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll und über 6 Zoll. Nach Wafergröße hält das 4-Zoll-Segment im Jahr 2022 mit 33,4 % den größten Marktanteil. Die Kategorie der 4-Zoll-Wafer hielt im Prognosezeitraum den größten Marktanteil. Dieses Wachstum resultiert aus einem steigenden Bedarf an optoelektronischen Geräten, Telekommunikations-Frontends, Hochleistungsverstärkern und Hochtemperaturgeräten. Die Vielseitigkeit eines 4-Zoll-Substrats für Anwendungen in der Weltraumkommunikation dürfte ebenfalls das Wachstum vorantreiben.

    Einblicke in GaN-Halbleiterbauelemente-Typen

    Basierend auf dem Typ umfasst die Marktsegmentierung für GaN-Halbleiterbauelemente Leistungshalbleiter, HF-Halbleiter und Optohalbleiter. Nach Typ hält das Segment Optohalbleiter im Jahr 2022 mit 35,7 % den größten Marktanteil. Das Segment der Optohalbleiter machte den größten Marktanteil aus. Dieser Markt wird hauptsächlich durch die wachsende Nachfrage nach mehr Effizienz in der Unterhaltungselektronik, einschließlich LEDs, Computern, tragbaren elektronischen Geräten und industriellen Anwendungen, angetrieben. Darüber hinaus gewinnt es in Sektoren wie dem Gesundheitswesen und der Automobilindustrie an Bekanntheit. Die steigende Nachfrage nach LED-Anzeigetafeln und Head-up-Displays ist ein wesentlicher Treiber für die Expansion dieses Marktes.

    Abbildung 2: Markt für GaN-Halbleiterbauelemente nach Typ, 2022 und 2032 (Mio. USD)

    Markt für GaN-Halbleiterbauelemente nach Typ, 2022 und 2032

    Quelle: Sekundärforschung, Primärforschung, MRFR-Datenbank und Analystenbewertung

    Regionale Einblicke in GaN-Halbleiterbauelemente

    Nach Regionen gegliedert bietet die Studie Markteinblicke für Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik, Nahen Osten und Afrika sowie Südamerika. Gemessen am Umsatz hielt der asiatisch-pazifische Raum im Jahr 2022 mit 46,9 % den größten Anteil am Markt für GaN-Halbleiterbauelemente und wird seine dominierende Stellung im Prognosezeitraum voraussichtlich beibehalten. Die Präsenz wichtiger Akteure und der Fokus auf die Entwicklung der Infrastruktur in der Region tragen zum Marktwachstum bei. Der asiatisch-pazifische Markt für GaN-Halbleiterbauelemente wird im Prognosezeitraum voraussichtlich deutlich wachsen. Aufgrund des zunehmenden technologischen Fortschritts und der daraus resultierenden Nachfrage nach effektiven und leistungsstarken HF-Komponenten wird erwartet, dass die Industrie im asiatisch-pazifischen Raum im Prognosezeitraum das schnellste Wachstum aller regionalen Märkte verzeichnet. Länder wie China und Japan gehören zu den führenden Herstellern von Unterhaltungselektronik in der Region, darunter LED-Anzeigegeräte, Mobiltelefone und Spielkonsolen. Dies treibt das Wachstum des lokalen Marktes erheblich voran. Darüber hinaus

    Im Juni 2022- gab Tata Steel Limited („Tata Steel“) bekannt, dass Tata Steel Long Products Limited („TSLP“), eine Tochtergesellschaft von Tata Steel, die Übernahme von 93,71 % an Neelachal Ispat Nigam Limited („NINL“) mit einer Jahreskapazität von 1 Million Tonnen von MMTC Ltd., NMDC Ltd., MECON Ltd., Bharat Heavy Electricals Ltd., Industrial Promotion and Investment Corporation of Odisha Ltd., Odisha Mining Corporation Ltd., President of India, Regierung von Odisha abgeschlossen hat.

    Abbildung 3: MARKTGRÖSSE FÜR GAN-HALBLEITERBAUELEMENTE NACH REGION 2022 & 2032

    GAN SEMICONDUCTOR DEVICES MARKET SIZE BY REGION 2022 & 2032

    Quelle: Sekundärforschung, Primärforschung, MRFR-Datenbank und Analystenbewertung

    Die wichtigsten im Marktbericht untersuchten Länder sind die USA, Kanada, Deutschland, Frankreich, Großbritannien, Italien, Spanien, China, Japan, Indien, Australien, Südkorea und Brasilien.

    Nordamerika ist der zweitgrößte Markt in der Region. Es wird erwartet, dass Nordamerika den Markt für GaN-Halbleiterbauelemente im Prognosezeitraum dominieren wird, da dort hohe Ausgaben für Galliumnitrid-Halbleitertechnologien getätigt werden und in der Region in mehreren Geschäftsbereichen hochentwickelte Elektronik weit verbreitet ist. Regierungsinitiativen zur Entwicklung von GaN-basierten Leistungshalbleitern dürften das Interesse an MBE-Systemen in Nordamerika steigern.

    In Europa wird im Prognosezeitraum das schnellste Wachstum des Marktes für GaN-Halbleiter erwartet, da die Nachfrage nach Halbleitern seitens des Militärs, des Rettungsdienstes sowie der Offshore-Öl- und Gasförderung steigt. Darüber hinaus treiben die Luft- und Raumfahrtindustrie und mehrere namhafte Unternehmen die Expansion des dortigen Marktes für GaN-Halbleiter voran. Der wachsende Markt für Unterhaltungselektronik beeinflusst ebenfalls die GaN-Halbleiterindustrie der Region.

    Im Rest der Welt wird der Markt für GaN-Halbleiter im Prognosezeitraum voraussichtlich erheblich wachsen, und zwar aufgrund erheblicher Investitionen in Galliumnitrid-Halbleitertechnologien und der umfassenden Verwendung moderner Elektronik in den verschiedenen Sektoren der Region.

    Wichtige Marktteilnehmer für GaN-Halbleiter Wettbewerbseinblicke

    Der Markt für GaN-Halbleiterbauelemente ist aufgrund seiner starken Präsenz in verschiedenen Typen und Regionen hart umkämpft und wird von etablierten, reinen Anbietern dominiert. Diese Anbieter verfügen über eine robuste geografische Präsenz und ein Partner-Ökosystem, um verschiedene Kundensegmente zu bedienen. Der Markt für GaN-Halbleiterbauelemente ist hart umkämpft, da viele Anbieter ähnliche Produkte und Dienstleistungen anbieten.

    Zu den wichtigsten Akteuren auf dem Markt zählen Fujitsu Ltd., Panasonic Corporation, Texas Instruments, Osram Opto-Semiconductors, Cree Incorporate, Toshiba, AixtronSE, Infineon Technologies, ROHM Company Limited, NXP Semiconductors, KoninklijkePhilips N.V. und andere. Philips ist ein führender Innovator in der Halbleiterindustrie und entwickelt ständig neue GaN-basierte Technologien. So kündigte Philips beispielsweise 2022 die Entwicklung eines neuen GaN-Leistungstransistors an, der als der effizienteste der Welt gilt. Philips bietet verschiedene GaN-basierte Produkte an, darunter Leistungstransistoren, HF-Verstärker und LEDs. Damit kann Philips die Bedürfnisse eines breiten Kundenspektrums erfüllen, von Herstellern von Unterhaltungselektronik bis hin zu industriellen Stromverbrauchern.

    Qorvo ist ein führender Anbieter von GaN-Halbleiterbauelementen und bekannt für seine Hochleistungsprodukte. So gehören beispielsweise die GaN-Leistungstransistoren von Qorvo zu den effizientesten der Welt. Qorvo bietet verschiedene GaN-basierte Produkte an, darunter Leistungstransistoren, HF-Verstärker und Front-End-Module. Dadurch kann Qorvo die Bedürfnisse eines breiten Kundenspektrums erfüllen, von Herstellern von Unterhaltungselektronik bis hin zu industriellen Stromverbrauchern. Der Markt für GaN-Halbleiterbauelemente ist aufgrund zunehmenden Wettbewerbs, Übernahmen, Fusionen und anderer strategischer Marktentwicklungen sowie Entscheidungen zur Verbesserung der operativen Effizienz ein konsolidierter Markt.

    Zu den wichtigsten Unternehmen im Markt für GaN-Halbleiterbauelemente gehören

      • Panasonic Corporation
      • Texas Instruments
      • Osram Opto-Semiconductors
      • Cree Integrieren
      • Toshiba
      • AixtronSE
      • Infineon Technologies
      • ROHM Company Limited
      • NXP Semiconductors
      • KoninklijkePhilips N.V.
      • Qorvo
      • Efficient Power Conversion Corporation
      • Taiwan Semiconductor Manufacturing Company
      • Intel Corporation
      • GLOBALFOUNDRIES
      • Semiconductor Manufacturing International Corp.

    Entwicklungen in der GaN-Halbleiterbranche

    April 2024: Weltrend Semiconductor und das GaN-Unternehmen Transphorm haben zwei neue GaN-System-in-Packages (SiPs) veröffentlicht, die speziell für leistungsstarke, flache USB-C-Netzteile entwickelt wurden, die mit Geräten wie Smartphones, Tablets, Laptops, Kopfhörern, Drohnen, Lautsprechern oder Kameras verwendet werden können. Zusammen mit dem im letzten Jahr vorgestellten Flaggschiff-GaN-SiP von Weltrend stellen diese neuartigen Geräte die erste SiP-Produktfamilie auf Basis der SuperGaN-Plattform dar.

    September 2023: Gallium Semiconductor hat einen vorab angepassten diskreten GaN-auf-SiC-HEMT (High Electron Mobility Transistor, High Electron Mobility Transistor) mit 2,4–2,5 GHz und 300 W auf den Markt gebracht – den ISM-CW-Verstärker GTH2e-2425300P, der für ein breites Spektrum industrieller, wissenschaftlicher und medizinischer Anwendungen konzipiert ist; einschließlich, aber nicht beschränkt auf Halbleiterplasmaquellen sowie Geräte zur chemischen Gasphasenabscheidung (MPCVD) mit Mikrowellenplasma zur Herstellung synthetischer Diamanten. Bislang gab es so etwas wie eine Effizienz auf diesem Niveau bei der HF-Leistung nicht! Er arbeitet im Frequenzbereich von 2,4 GHz bis 2,5 GHz und wird von einer Versorgungsspannung von 50 V gespeist. Damit erreicht er einen Wirkungsgrad, der alle bekannten Maßstäbe für die HF-Leistung auf den Kopf stellt. Dieser HEMT verkörpert alles, wofür sie stehen – das Engagement für die Verbesserung der Hochfrequenzleistung mit Produkten wie diesem, die Spitzenwirkungsgrade von über fünfundsiebzig Prozent im Pulsbetrieb mal zehn Mikrosekunden Arbeitszyklen von hundert Prozent erreichen.

    ROHM Co Ltd., ein japanischer Hersteller von Leistungshalbleitern, kündigte im August 2023 die Entwicklung von EcoGaN-Leistungsstufen-ICs der Serie BM3G0xxMUV-LB mit integriertem Gate-Treiber an, der für Primärstromversorgungen in Industrie- und Verbraucheranwendungen, darunter unter anderem Datenserver, optimiert ist. Der Verbraucher- und Industriesektor fordert zunehmend höhere Energieeinsparungen im Einklang mit den weltweiten Nachhaltigkeitszielen; die Miniaturisierung bei gleichzeitiger Verbesserung der Effizienz sollte jedoch nicht auf Kosten der Zuverlässigkeit gehen. Daher erfordert die Handhabung des Gates von GaN-HEMTs im Vergleich zu Silizium-MOSFETs besondere Aufmerksamkeit, was einen dedizierten Gate-Treiber erfordert.

    April 2022: Während des Nationalen Öl- und Gasforums in Moskau gab TMK bekannt, dass es sich auf die Einführung neuer Stahlsorten für Rohre konzentriert, die zum unterirdischen Einspeisen von Kohlendioxid zum Korrosionsschutz und zur Erhöhung der Betriebszuverlässigkeit in der F&E-Einrichtung von TMK verwendet werden.

    April 2022: TMK gab die Übernahme von Chelpipe bekannt. Die Akquisition umfasst Produktions-, Vertriebs- und Serviceanlagen, Schrottsammel- und -verarbeitungsanlagen sowie weitere Anlagen, die für den Betrieb der Hauptpipelinesysteme von Chelpipe erforderlich sind.

    Marktsegmentierung für GaN-Halbleiterbauelemente

    Ausblick für GaN-Halbleiterbauelemente

      • Transistor
      • Diode
      • Gleichrichter
      • Leistungs-IC
      • Stromversorgung und Wechselrichter
      • Verstärker
      • Beleuchtung und Laser
      • Schalttechnik Systeme
      • Andere

    Vertikaler Ausblick für GaN-Halbleitergeräte

      • Automobil
      • Industriell
      • Verteidigung & Luft- und Raumfahrt
      • Unterhaltungselektronik
      • Telekommunikation
      • Medizin
      • Andere

    Ausblick auf die Wafergröße von GaN-Halbleiterbauelementen

      • 2 Zoll
      • 4 Zoll
      • 6 Zoll
      • Mehr als 6 Zoll

    GaN-Halbleitergerätetyp-Ausblick

      • Leistungshalbleiter
      • RF Halbleiter
      • Opto-Halbleiter

    Regionaler Ausblick für GaN-Halbleitergeräte

      • Nordamerika
        • USA
        • Kanada
      • Europa
        • Großbritannien
        • Deutschland
        • Frankreich
        • Italien
        • Spanien
        • Rest von Europa
      • Asien-Pazifik
        • China
        • Japan
        • Indien
        • Australien
        • Südkorea
        • Restlicher Asien-Pazifik-Raum
      • REIHE
        • Lateinamerika
        • Naher Osten & Afrika

    INHALTSVERZEICHNIS

    1 ZUSAMMENFASSUNG 16 1.1 ANALYSE DER MARKTATTRACTIVEN 17 1.1.1 GLOBALER MARKT FÜR GAN-HALBLEITERBAUELEMENTE, NACH BAUGRUPPE 17 1.1.2 GLOBALER MARKT FÜR GAN-HALBLEITERBAUELEMENTE, NACH VERTIKAL 18 1.1.3 GLOBALER MARKT FÜR GAN-HALBLEITERBAUELEMENTE, NACH WAFERGRÖSSE 19 1.1.4 GLOBALER MARKT FÜR GAN-HALBLEITERBAUELEMENTE, NACH TYP 20 1.1.5 GLOBALER MARKT FÜR GAN-HALBLEITERBAUELEMENTE, NACH REGION 21 2 MARKTEINFÜHRUNG 22 2.1 DEFINITION 22 2.2 UMFANG DER STUDIE 22 2.3 FORSCHUNGSZIEL 22 2.4 MARKTSTRUKTUR 23 3 FORSCHUNGSMETHODIK 24 3.1 DATA MINING 24 3.2 SEKUNDÄRFORSCHUNG 25 3.3 PRIMÄRFORSCHUNG 25 3.3.1 PRIMÄRINTERVIEWS UND INFORMATIONSBESCHAFFUNGSPROZESS 26 3.3.2 AUFSCHLÜSSELUNG DER PRIMÄRBEFRAGTEN 26 3.4 FORSCHUNGSMETHODIK ZUR SCHÄTZUNG DER MARKTGRÖSSE 28 3.4.1 BOTTOM-UP-ANSATZ 29 3.4.2 TOP-DOWN-ANSATZ 29 3.5 DATENVALIDIERUNG 30 3.6 ANNAHMEN & EINSCHRÄNKUNGEN 30 4 MARKTDYNAMIK 31 4.1 EINLEITUNG 31 4.2 TREIBER 32 4.2.1 ZUNEHMENDE ANNAHME VON GAN-HF-HALBLEITERBAUELEMENTEN IM MILITÄR 32 4.2.2 NACHFRAGE NACH GAN-LEISTUNGSHALBLEITERN IN DER UNTERHALTUNGSELEKTRONIK UND IM AUTOMOBILBAU 32 4.3 ZURÜCKHALTUNG 33 4.3.1 VERFÜGBARKEIT VON ERSATZPRODUKTEN 33 4.4 CHANCEN 33 4.4.1 ANWENDUNGEN IN ELEKTRO- UND HYBRIDFAHRZEUGEN 33 4.4.2 AUFKOMMEN DES 5G-NETZES 34 4.5 COVID-19-AUSWIRKUNGSANALYSE 34 4.5.1 AUSWIRKUNGEN AUF HALBLEITERHERSTELLER 34 4.5.2 AUSWIRKUNGEN AUF KOMPONENTENHERSTELLER 34 4.5.3 AUSWIRKUNGEN AUF GERÄTEHERSTELLER 34 4.5.4 AUSWIRKUNGEN AUF VERZÖGERUNGEN IN DER LIEFERKETTE 34 5 MARKTFAKTORENANALYSE 35 5.1 LIEFERKETTENANALYSE 35 5.1.1 ROHSTOFFE 35 5.1.2 GAN-WAFER-HERSTELLUNG 36 5.1.3 GERÄTEHERSTELLUNG 36 5.1.4 VERTRIEB 36 5.1.5 ENDVERWENDER 36 5.2 PORTERS FÜNF-KRÄFTE-MODELL 37 5.2.1 VERHANDLUNGSMACHT LIEFERANTEN 37 5.2.2 VERHANDLUNGSMACHT DER KÄUFER 38 5.2.3 BEDROHUNG DURCH NEUE MARKTANBIETER 38 5.2.4 BEDROHUNG DURCH ERSATZPRODUKTE 38 5.2.5 INTENSITÄT DER RIVALITÄT 38 6 GLOBALER MARKT FÜR GAN-HALBLEITERBAUELEMENTE, NACH BAUELEMENT 39 6.1 EINLEITUNG 39 6.2 Transistor 40 6.3 Diode 40 6.4 GLEICHRICHTER 40 6.5 LEISTUNGS-IC 40 6.6 VERSORGUNG UND WECHSELRICHTER 40 6.7 VERSTÄRKER 41 6.8 BELEUCHTUNG UND LASER 41 6.9 SCHALTSYSTEME 41 7 GLOBAL GAN-HALBLEITERBAUELEMENTMARKT, NACH VERTIKALEN 42 7.1 EINFÜHRUNG 42 7.2 AUTOMOBILINDUSTRIE 43 7.3 INDUSTRIE 43 7.4 VERTEIDIGUNG & LUFT- UND RAUMFAHRT 43 7.5 UNTERHALTUNGSELEKTRONIK 43 7.6 TELEKOMMUNIKATION 44 7.7 MEDIZIN 44 8 GLOBALER MARKT FÜR GAN-HALBLEITERBAUELEMENTE, NACH WAFERGRÖSSE 45 8.1 EINFÜHRUNG 45 8.2 2 ZOLL 46 8.3 4 ZOLL 46 8.4 6 ZOLL 46 8.5 MEHR ALS 6 ZOLL 46 9 GLOBALER MARKT FÜR GAN-HALBLEITERBAUELEMENTE, NACH TYP 47 9.1 EINFÜHRUNG 47 9.2 LEISTUNGSHALBLEITER 48 9.3 HF-HALBLEITER 48 9.4 OPTOHALBLEITER 48 10 GLOBALER MARKT FÜR GAN-HALBLEITERBAUELEMENTE, NACH REGIONEN 49 10.1 EINLEITUNG 49 10.2 NORDAMERIKA 50 10.2.1 USA 53 10.2.2 KANADA 55 10.2.3 MEXIKO 57 10.3 EUROPA 59 10.3.1 DEUTSCHLAND 62 10.3.2 FRANKREICH 64 10.3.3 GROSSBRITANNIEN 66 10.3.4 ITALIEN 68 10.3.5 SPANIEN 70 10.3.6 RESTLICHES EUROPA 72 10.4 ASIEN-PAZIFIK 74 10.4.1 CHINA 77 10.4.2 INDIEN 79 10.4.3 JAPAN 81 10.4.4 SÜDKOREA 83 10.4.5 RESTLICHER ASIEN-PAZIFIK-RAUM 85 10.5 REST 87 10.5.1 LATAM 90 10.5.2 MEA 92 11 WETTBEWERBSLANDSCHAFT 94 11.1 WETTBEWERBSÜBERSICHT 94 11.2 WETTBEWERBS-BENCHMARKING 95 11.3 MARKTANTEILSANALYSE 96 11.4 WICHTIGE ENTWICKLUNGEN UND WACHSTUMSSTRATEGIEN 96 11.4.1 EINFÜHRUNG NEUER PRODUKTE/EINFÜHRUNG VON DIENSTEN 96 11.4.2 FUSION UND AKQUISITION 97 11.4.3 JOINT VENTURES 97 11.4.4 EXPANSION 98 12 FIRMENPROFILE 99 12.1 KONINKLIJKE PHILIPS N.V. 99 12.1.1 FIRMENÜBERSICHT 99 12.1.2 FINANZÜBERSICHT 100 12.1.3 ANGEBOTENE PRODUKTE 100 12.1.4 SWOT-ANALYSE 101 12.1.5 SCHLÜSSELSTRATEGIE 101 12.2 QORVO 102 12.2.1 FIRMENÜBERSICHT 102 12.2.2 FINANZÜBERSICHT 102 12.2.3 ANGEBOTENE PRODUKTE 103 12.2.4 SWOT-ANALYSE 103 12.2.5 SCHLÜSSELSTRATEGIE 104 12.3 EFFICIENT POWER CONVERSION CORPORATION 105 12.3.1 UNTERNEHMENSÜBERSICHT 105 12.3.2 ANGEBOTENE PRODUKTE 105 12.3.3 SWOT-ANALYSE 106 12.3.4 SCHLÜSSELSTRATEGIE 106 12.4 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY 107 12.4.1 UNTERNEHMENSÜBERSICHT 107 12.4.2 ANGEBOTENE PRODUKTE 107 12.4.3 WICHTIGE ENTWICKLUNGEN 108 12.4.4 SWOT-ANALYSE 108 12.4.5 SCHLÜSSELSTRATEGIE 108 12.5 INTEL CORPORATION 109 12.5.1 UNTERNEHMENSÜBERSICHT 109 12.5.2 FINANZIELLE ÜBERSICHT

    Marktsegmentierung für GaN-Halbleiterbauelemente

    • Globale GaN-Halbleiterbauelemente, nach Geräteausblick (in Mio. USD, 2018–2032)
      • Transistor
      • Diode
      • Gleichrichter
      • Leistungs-IC
      • Stromversorgung und Wechselrichter
      • Verstärker
      • Beleuchtung und Laser
      • Schaltsysteme
      • Sonstige
    • Globale GaN-Halbleiterbauelemente, nach Branchenausblick (in Mio. USD, 2018–2032)
      • Automobilindustrie
      • Industrie
      • Verteidigung & Luft- und Raumfahrt
      • Unterhaltungselektronik
      • Telekommunikation
      • Medizin
      • Sonstige
    • Globale GaN-Halbleiterbauelemente, Prognose nach Wafergröße (in Mio. USD, 2018–2032)
      • 2 Zoll
      • 4 Zoll
      • 6 Zoll
      • Mehr als 6 Zoll
    • Globale GaN-Halbleiterbauelemente, Prognose nach Typ (in Mio. USD, 2018–2032)
      • Leistungshalbleiter
      • HF-Halbleiter
      • Optohalbleiter

    Globale regionale Prognose für GaN-Halbleiterbauelemente (Mio. USD, 2018–2032)

    • Ausblick Nordamerika (Mio. USD, 2018–2032)
    • GaN-Halbleiterbauelemente Nordamerika, nach Geräteausblick (Mio. USD, 2018–2032)
      • Transistor
      • Diode
      • Gleichrichter
      • Leistungs-IC
      • Stromversorgung und Wechselrichter
      • Verstärker
      • Beleuchtung und Laser
      • Schaltsysteme
      • Sonstige
    • GaN-Halbleiterbauelemente Nordamerika, nach Branchenausblick (Mio. USD, 2018–2032)
      • Automobilindustrie
      • Industrie
      • Verteidigung & Luft- und Raumfahrt
      • Unterhaltungselektronik
      • Telekommunikation
      • Medizin
      • Sonstige
    • GaN-Halbleiterbauelemente in Nordamerika, Prognose nach Wafergröße (in Mio. USD, 2018–2032)
      • 2 Zoll
      • 4 Zoll
      • 6 Zoll
      • Mehr als 6 Zoll
    • GaN-Halbleiterbauelemente in Nordamerika, Prognose nach Typ (in Mio. USD, 2018–2032)
      • Leistungshalbleiter
      • HF-Halbleiter
      • Opto Halbleiter

     

    • US-Ausblick (in Mio. USD, 2018–2032)
    • US-GaN-Halbleiterbauelemente, nach Geräteausblick (in Mio. USD, 2018–2032)
      • Transistor
      • Diode
      • Gleichrichter
      • Leistungs-IC
      • Stromversorgung und Wechselrichter
      • Verstärker
      • Beleuchtung und Laser
      • Schaltsysteme
      • Sonstige
    • US-GaN-Halbleiterbauelemente, nach Branchenausblick (in Mio. USD, 2018–2032)
      • Automobilindustrie
      • Industrie
      • Verteidigung & Luft- und Raumfahrt
      • Unterhaltungselektronik
      • Telekommunikation
      • Medizin
      • Sonstige
    • GaN-Halbleiterbauelemente in den USA, Prognose nach Wafergröße (in Mio. USD, 2018–2032)
      • 2 Zoll
      • 4 Zoll
      • 6 Zoll
      • Mehr als 6 Zoll
    • GaN-Halbleiterbauelemente in den USA, Prognose nach Typ (in Mio. USD, 2018–2032)
      • Leistungshalbleiter
      • HF-Halbleiter
      • Optohalbleiter
    • Kanada, Prognose (in Mio. USD, 2018–2032)
    • GaN-Halbleiterbauelemente in Kanada, nach Geräteausblick (in Mio. USD, 2018–2032)
      • Transistor
      • Diode
      • Gleichrichter
      • Leistungs-IC
      • Stromversorgung und Wechselrichter
      • Verstärker
      • Beleuchtung und Laser
      • Schaltsysteme
      • Sonstige
    • GaN-Halbleiterbauelemente in Kanada, nach Branchenausblick (in Mio. USD, 2018–2032)
      • Automobilindustrie
      • Industrie
      • Verteidigung & Luft- und Raumfahrt
      • Unterhaltungselektronik
      • Telekommunikation
      • Medizin
      • Sonstige
    • GaN-Halbleiterbauelemente in Kanada, Prognose nach Wafergröße (in Mio. USD, 2018–2032)
      • 2 Zoll
      • 4 Zoll
      • 6 Zoll
      • Mehr als 6 Zoll
    • GaN-Halbleiterbauelemente in Kanada, Prognose nach Typ (in Mio. USD, 2018–2032)
      • Leistungshalbleiter
      • HF-Halbleiter
      • Optohalbleiter
    • Ausblick Mexiko (in Mio. USD, 2018–2032)
    • GaN-Halbleiterbauelemente in Mexiko, nach Geräteausblick (in Mio. USD, 2018–2032)
      • Transistor
      • Diode
      • Gleichrichter
      • Leistungs-IC
      • Stromversorgung und Wechselrichter
      • Verstärker
      • Beleuchtung und Laser
      • Schaltsysteme
      • Sonstige
    • GaN-Halbleiterbauelemente in Mexiko, nach Branchenausblick (in Mio. USD, 2018–2032)
      • Automobilindustrie
      • Industrie
      • Verteidigung & Luft- und Raumfahrt
      • Unterhaltungselektronik
      • Telekommunikation
      • Medizin
      • Sonstige
    • GaN-Halbleiterbauelemente in Mexiko, Prognose nach Wafergröße (in Mio. USD, 2018–2032)
      • 2 Zoll
      • 4 Zoll
      • 6 Zoll
      • Mehr als 6 Zoll
    • GaN-Halbleiterbauelemente in Mexiko, Prognose nach Typ (in Mio. USD, 2018–2032)
      • Leistungshalbleiter
      • HF-Halbleiter
      • Optohalbleiter
    • Europa-Ausblick (in Mio. USD, 2018–2032)
    • Europa: GaN-Halbleiterbauelemente, nach Geräteausblick (in Mio. USD, 2018–2032)
      • Transistor
      • Diode
      • Gleichrichter
      • Leistungs-IC
      • Stromversorgung und Wechselrichter
      • Verstärker
      • Beleuchtung und Laser
      • Schaltsysteme
      • Sonstige
    • Europa: GaN-Halbleiterbauelemente, nach Branchenausblick (in Mio. USD, 2018–2032)
      • Automobilindustrie
      • Industrie
      • Verteidigung & Luft- und Raumfahrt
      • Unterhaltungselektronik
      • Telekommunikation
      • Medizin
      • Sonstige
    • GaN-Halbleiterbauelemente in Europa, Prognose nach Wafergröße (in Mio. USD, 2018–2032)
      • 2 Zoll
      • 4 Zoll
      • 6 Zoll
      • Mehr als 6 Zoll
    • GaN-Halbleiterbauelemente in Europa, Prognose nach Typ (in Mio. USD, 2018–2032)
      • Leistungshalbleiter
      • HF-Halbleiter
      • Optohalbleiter
    • Ausblick Deutschland (in Mio. USD, 2018–2032)
    • GaN-Halbleiterbauelemente in Deutschland, nach Geräteausblick (in Mio. USD, 2018–2032)
      • Transistor
      • Diode
      • Gleichrichter
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      • Stromversorgung und Wechselrichter
      • Verstärker
      • Beleuchtung und Laser
      • Schaltsysteme
      • Sonstige

    GaN-Halbleiterbauelemente in Deutschland, nach Branchenausblick (in Mio. USD, 2018–2032)

    • Automobilindustrie
    • Industrie
    • Verteidigung & Luft- und Raumfahrt
    • Unterhaltungselektronik
    • Telekommunikation
    • Medizin
    • Sonstige
    • GaN-Halbleiterbauelemente in Deutschland, Prognose nach Wafergröße (in Mio. USD, 2018–2032)
      • 2 Zoll
      • 4 Zoll
      • 6 Zoll
      • Mehr als 6 Zoll
    • GaN-Halbleiterbauelemente in Deutschland, Prognose nach Typ (in Mio. USD, 2018–2032)
      • Leistungshalbleiter
      • HF-Halbleiter
      • Optohalbleiter
    • Frankreich, Prognose (in Mio. USD, 2018–2032)
    • GaN-Halbleiterbauelemente in Frankreich, nach Geräteausblick (in Mio. USD, 2018–2032)
      • Transistor
      • Diode
      • Gleichrichter
      • Leistungs-IC
      • Stromversorgung und Wechselrichter
      • Verstärker
      • Beleuchtung und Laser
      • Schaltsysteme
      • Sonstige
    • GaN-Halbleiterbauelemente in Frankreich, nach Branchenausblick (in Mio. USD, 2018–2032)
      • Automobilindustrie
      • Industrie
      • Verteidigung & Luft- und Raumfahrt
      • Unterhaltungselektronik
      • Telekommunikation
      • Medizin
      • Sonstige
    • GaN-Halbleiterbauelemente in Frankreich, Prognose nach Wafergröße (in Mio. USD, 2018–2032)
      • 2 Zoll
      • 4 Zoll
      • 6 Zoll
      • Mehr als 6 Zoll
    • GaN-Halbleiterbauelemente in Frankreich, Prognose nach Typ (in Mio. USD, 2018–2032)
      • Leistungshalbleiter
      • HF-Halbleiter
      • Optohalbleiter
    • Ausblick Großbritannien (in Mio. USD) Millionen, 2018–2032)
    • GaN-Halbleiterbauelemente in Großbritannien, nach Geräteausblick (in Millionen USD, 2018–2032)
      • Transistor
      • Diode
      • Gleichrichter
      • Leistungs-IC
      • Stromversorgung und Wechselrichter
      • Verstärker
      • Beleuchtung und Laser
      • Schaltsysteme
      • Sonstige
    • GaN-Halbleiterbauelemente in Großbritannien, nach Branchenausblick (in Millionen USD, 2018–2032)
      • Automobilindustrie
      • Industrie
      • Verteidigung & Luft- und Raumfahrt
      • Unterhaltungselektronik
      • Telekommunikation
      • Medizin
      • Sonstige
    • GaN-Halbleiterbauelemente in Großbritannien, Prognose nach Wafergröße (in Mio. USD, 2018–2032)
      • 2 Zoll
      • 4 Zoll
      • 6 Zoll
      • Mehr als 6 Zoll
    • GaN-Halbleiterbauelemente in Großbritannien, Prognose nach Typ (in Mio. USD, 2018–2032)
      • Leistungshalbleiter
      • HF-Halbleiter
      • Optohalbleiter
    • Ausblick für das übrige Europa (in Mio. USD) Millionen, 2018–2032)
    • GaN-Halbleiterbauelemente im übrigen Europa, nach Geräteausblick (in Millionen USD, 2018–2032)
      • Transistor
      • Diode
      • Gleichrichter
      • Leistungs-IC
      • Stromversorgung und Wechselrichter
      • Verstärker
      • Beleuchtung und Laser
      • Schaltsysteme
      • Sonstige
    • GaN-Halbleiterbauelemente im übrigen Europa, nach Branchenausblick (in Millionen USD, 2018–2032)
      • Automobilindustrie
      • Industrie
      • Verteidigung & Luft- und Raumfahrt
      • Unterhaltungselektronik
      • Telekommunikation
      • Medizin
      • Sonstige
    • GaN-Halbleiterbauelemente im übrigen Europa, Prognose nach Wafergröße (in Mio. USD, 2018–2032)
      • 2 Zoll
      • 4 Zoll
    • GaN-Halbleiterbauelemente im übrigen Europa, Prognose nach Typ (in Mio. USD, 2018–2032)
      • Leistungshalbleiter
      • HF-Halbleiter
      • Optohalbleiter
      • 6 Zoll
      • Mehr als 6 Zoll
    • Ausblick Asien-Pazifik (in Mio. USD, 2018–2032)
    • GaN-Halbleiterbauelemente im asiatisch-pazifischen Raum, nach Geräteausblick (in Mio. USD, 2018–2032)
      • Transistor
      • Diode
      • Gleichrichter
      • Leistungs-IC
      • Stromversorgung und Wechselrichter
      • Verstärker
      • Beleuchtung und Laser
      • Schaltsysteme
      • Sonstige
    • GaN-Halbleiterbauelemente im asiatisch-pazifischen Raum, nach Branchenausblick (in Mio. USD, 2018–2032)
      • Automobilindustrie
      • Industrie
      • Verteidigung & Luft- und Raumfahrt
      • Unterhaltungselektronik
      • Telekommunikation
      • Medizin
      • Sonstige
    • GaN-Halbleiterbauelemente im asiatisch-pazifischen Raum, nach Wafergröße (Ausblick in Mio. USD, 2018–2032)
      • 2 Zoll
      • 4 Zoll
      • 6 Zoll
      • Mehr als 6 Zoll
    • GaN-Halbleiterbauelemente im asiatisch-pazifischen Raum, nach Typ (Ausblick in Mio. USD, 2018–2032)
      • Leistungshalbleiter
      • HF-Halbleiter
      • Optohalbleiter
      • Ausblick China (Ausblick in Mio. USD, 2018–2032)
      • GaN-Halbleiterbauelemente in China, nach Geräteausblick (in Mio. USD, 2018–2032)
        • Transistor
        • Diode
        • Gleichrichter
        • Leistungs-IC
        • Stromversorgung und Wechselrichter
        • Verstärker
        • Beleuchtung und Laser
        • Schaltsysteme
        • Sonstige
      • GaN-Halbleiterbauelemente in China, nach Branchenausblick (in Mio. USD, 2018–2032)
        • Automobilindustrie
        • Industrie
        • Verteidigung & Luft- und Raumfahrt
        • Unterhaltungselektronik
        • Telekommunikation
        • Medizin
        • Sonstige
      • GaN-Halbleiterbauelemente in China, Prognose nach Wafergröße (in Mio. USD, 2018–2032)
        • 2 Zoll
        • 4 Zoll
        • 6 Zoll
        • Mehr als 6 Zoll
      • GaN-Halbleiterbauelemente in China, Prognose nach Typ (in Mio. USD, 2018–2032)
        • Leistungshalbleiter
        • HF-Halbleiter
        • Opto Halbleiter
    • Ausblick Indien (in Mio. USD, 2018–2032)
    • GaN-Halbleiterbauelemente in Indien, nach Bauelement (in Mio. USD, 2018–2032)
      • Transistor
      • Diode
      • Gleichrichter
      • Leistungs-IC
      • Stromversorgung und Wechselrichter
      • Verstärker
      • Beleuchtung und Laser
      • Schaltsysteme
      • Sonstige
    • GaN-Halbleiterbauelemente in Indien, nach Branchenausblick (in Mio. USD, 2018–2032)
      • Automobilindustrie
      • Industrie
      • Verteidigung & Luft- und Raumfahrt
      • Unterhaltungselektronik
      • Telekommunikation
      • Medizin
      • Sonstige
    • GaN-Halbleiterbauelemente in Indien, Prognose nach Wafergröße (in Mio. USD, 2018–2032)
      • 2 Zoll
      • 4 Zoll
      • 6 Zoll
      • Mehr als 6 Zoll
    • GaN-Halbleiterbauelemente in Indien, Prognose nach Typ (in Mio. USD, 2018–2032)
      • Leistungshalbleiter
      • HF-Halbleiter
      • Optohalbleiter
    • Japan-Prognose (in Mio. USD) Millionen, 2018–2032)
    • Japanische GaN-Halbleiterbauelemente, nach Geräteausblick (in Millionen USD, 2018–2032)
      • Transistor
      • Diode
      • Gleichrichter
      • Leistungs-IC
      • Stromversorgung und Wechselrichter
      • Verstärker
      • Beleuchtung und Laser
      • Schaltsysteme
      • Sonstige
    • Japanische GaN-Halbleiterbauelemente, nach Branchenausblick (in Millionen USD, 2018–2032)
      • Automobilindustrie
      • Industrie
      • Verteidigung & Luft- und Raumfahrt
      • Unterhaltungselektronik
      • Telekommunikation
      • Medizin
      • Sonstige
    • Japanische GaN-Halbleiterbauelemente, Prognose nach Wafergröße (in Mio. USD, 2018–2032)
      • 2 Zoll
      • 4 Zoll
      • 6 Zoll
      • Mehr als 6 Zoll
    • Japanische GaN-Halbleiterbauelemente, Prognose nach Typ (in Mio. USD, 2018–2032)
      • Leistungshalbleiter
      • HF-Halbleiter
      • Optohalbleiter
    • Ausblick für den restlichen asiatisch-pazifischen Raum (in Mio. USD, 2018–2032)
    • GaN-Halbleiterbauelemente im restlichen asiatisch-pazifischen Raum, nach Geräteausblick (in Mio. USD, 2018–2032)
      • Transistor
      • Diode
      • Gleichrichter
      • Leistungs-IC
      • Stromversorgung und Wechselrichter
      • Verstärker
      • Beleuchtung und Laser
      • Schaltsysteme
      • Sonstige
    • GaN-Halbleiterbauelemente im restlichen asiatisch-pazifischen Raum, nach Branchenausblick (in Mio. USD, 2018–2032)
      • Automobilindustrie
      • Industrie
      • Verteidigung & Luft- und Raumfahrt
      • Unterhaltungselektronik
      • Telekommunikation
      • Medizin
      • Sonstige
    • GaN-Halbleiterbauelemente im Rest des asiatisch-pazifischen Raums, Prognose nach Wafergröße (in Mio. USD, 2018–2032)
      • 2 Zoll
      • 4 Zoll
      • 6 Zoll
      • Mehr als 6 Zoll
    • GaN-Halbleiterbauelemente im Rest des asiatisch-pazifischen Raums, Prognose nach Typ (in Mio. USD, 2018–2032)
      • Leistungshalbleiter
      • HF-Halbleiter
      • Opto Halbleiter
    • Ausblick für den Nahen Osten und Afrika (in Mio. USD, 2018–2032)
    • GaN-Halbleiterbauelemente im Nahen Osten und Afrika, nach Bauelement (in Mio. USD, 2018–2032)
      • Transistor
      • Diode
      • Gleichrichter
      • Leistungs-IC
      • Stromversorgung und Wechselrichter
      • Verstärker
      • Beleuchtung und Laser
      • Schaltsysteme
      • Sonstige
    • Naher Osten und Afrika GaN-Halbleiterbauelemente in Afrika, nach Branchenprognose (in Mio. USD, 2018–2032)
      • Automobilindustrie
      • Industrie
      • Verteidigung & Luft- und Raumfahrt
      • Unterhaltungselektronik
      • Telekommunikation
      • Medizin
      • Sonstige
    • GaN-Halbleiterbauelemente im Nahen Osten und Afrika, nach Wafergröße (in Mio. USD, 2018–2032)
      • 2 Zoll
      • 4 Zoll
      • 6 Zoll
      • Mehr als 6 Zoll
    • Naher Osten und GaN-Halbleiterbauelemente in Afrika, Prognose nach Typ (in Mio. USD, 2018–2032)
      • Leistungshalbleiter
      • HF-Halbleiter
      • Optohalbleiter
      • Ausblick für die GCC-Länder (in Mio. USD, 2018–2032)
      • GaN-Halbleiterbauelemente in den GCC-Ländern, Prognose nach Bauelement (in Mio. USD, 2018–2032)
        • Transistor
        • Diode
        • Gleichrichter
        • Leistungs-IC
        • Stromversorgung und Wechselrichter
        • Verstärker
        • Beleuchtung und Laser
        • Schalttechnik Systeme
        • Sonstige
      • GaN-Halbleiterbauelemente in den GCC-Ländern, nach Branchenausblick (in Mio. USD, 2018–2032)
        • Automobilindustrie
        • Industrie
        • Verteidigung & Luft- und Raumfahrt
        • Unterhaltungselektronik
        • Telekommunikation
        • Medizin
        • Sonstige
      • GaN-Halbleiterbauelemente in den GCC-Ländern, Prognose nach Wafergröße (in Mio. USD, 2018–2032)
        • 2 Zoll
        • 4 Zoll
        • 6 Zoll
        • Mehr als 6 Zoll
      • GaN-Halbleiterbauelemente in den GCC-Ländern, Prognose nach Typ (in Mio. USD, 2018–2032)
        • Leistungshalbleiter
        • HF-Halbleiter
        • Optohalbleiter
      • Südafrika, Prognose (in Mio. USD, 2018–2032)
      • GaN-Halbleiterbauelemente in Südafrika, nach Geräteausblick (in Mio. USD, 2018–2032)
        • Transistor
        • Diode
        • Gleichrichter
        • Leistungs-IC
        • Stromversorgung und Wechselrichter
        • Verstärker
        • Beleuchtung und Laser
        • Schaltsysteme
        • Sonstige
      • GaN-Halbleiterbauelemente in Südafrika, nach Branchenausblick (in Mio. USD, 2018–2032)
        • Automobilindustrie
        • Industrie
        • Verteidigung & Luft- und Raumfahrt
        • Unterhaltungselektronik
        • Telekommunikation
        • Medizin
        • Sonstige
      • GaN-Halbleiterbauelemente in Südafrika, Prognose nach Wafergröße (Mio. USD, 2018–2032)
        • 2 Zoll
        • 4 Zoll
        • 6 Zoll
        • Mehr als 6 Zoll
      • GaN-Halbleiterbauelemente in Südafrika, Prognose nach Typ (Mio. USD, 2018–2032)
        • Leistungshalbleiter
        • HF-Halbleiter
        • Optohalbleiter
      • Rest des Nahen Ostens & Afrika-Ausblick (Mio. USD, 2018–2032)
      • GaN-Halbleiterbauelemente im Rest des Nahen Ostens und Afrikas, nach Bauelement-Ausblick (Mio. USD, 2018–2032)
        • Transistor
        • Diode
        • Gleichrichter
        • Leistungs-IC
        • Stromversorgung und Wechselrichter
        • Verstärker
        • Beleuchtung und Laser
        • Schaltsysteme
        • Sonstige
      • Rest des Nahen Ostens und Afrikas GaN-Halbleiterbauelemente in Afrika, nach Branchenprognose (in Mio. USD, 2018–2032)
        • Automobilindustrie
        • Industrie
        • Verteidigung & Luft- und Raumfahrt
        • Unterhaltungselektronik
        • Telekommunikation
        • Medizin
        • Sonstige
      • GaN-Halbleiterbauelemente im Rest des Nahen Ostens und Afrikas, nach Wafergröße (in Mio. USD, 2018–2032)
        • 2 Zoll
        • 4 Zoll
        • 6 Zoll
        • Mehr als 6 Zoll
      • Rest des Nahen Ostens und Afrikas GaN-Halbleiterbauelemente in Afrika, Prognose nach Typ (in Mio. USD, 2018–2032)
        • Leistungshalbleiter
        • HF-Halbleiter
        • Optohalbleiter
      • Ausblick Südamerika (in Mio. USD, 2018–2032)
      • GaN-Halbleiterbauelemente in Südamerika, Prognose nach Bauelement (in Mio. USD, 2018–2032)
        • Transistor
        • Diode
        • Gleichrichter
        • Leistungs-IC
        • Stromversorgung und Wechselrichter
        • Verstärker
        • Beleuchtung und Laser
        • Schalttechnik Systeme
        • Sonstige
      • GaN-Halbleiterbauelemente in Südamerika, nach Branchenausblick (in Mio. USD, 2018–2032)
        • Automobilindustrie
        • Industrie
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    GaN Semiconductor Devices Market Research Report- Global Forecast to 2032 Infographic
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