• Cat-intel
  • MedIntelliX
  • Resources
  • About Us
  • Request Free Sample ×

    Kindly complete the form below to receive a free sample of this Report

    Leading companies partner with us for data-driven Insights

    clients tt-cursor

    SiC Power Semiconductor Market

    ID: MRFR/SEM/4980-CR
    100 Pages
    Ankit Gupta
    December 2018

    Informationen zum Marktforschungsbericht zu SiC-Leistungshalbleitern nach Geräten (diskrete SiC-Geräte (MOSFET, Diode und Modul) und SiC-Bare-Die-Geräte), nach Anwendung (HF-Geräte und Mobilfunkbasisstation, Stromversorgung und Wechselrichter, Stromnetze, EV-Motor, industrielle Motorantriebe, Eisenbahntraktion und andere), nach Wafergröße (2 Zoll, 4 Zoll und 6 Zoll und mehr), nach Endbenutzer (Telekommunikation, Energie und Strom, Automobil, Industrie, Elektronik und andere) und Region (Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik und Rest der Welt) –...

    Share:
    Download PDF ×

    We do not share your information with anyone. However, we may send you emails based on your report interest from time to time. You may contact us at any time to opt-out.

    SiC Power Semiconductor Market Research Report – Forecast to 2032 Infographic
    Purchase Options
    $ 4.950,0
    $ 5.950,0
    $ 7.250,0
    Table of Contents

    Globaler Marktüberblick über SiC-Leistungshalbleiter:

    Der Markt für SiC-Leistungshalbleiter hatte im Jahr 2023 ein geschätztes Volumen von 0,2 Milliarden US-Dollar. Die SiC-Leistungshalbleiterbranche soll von 0,3 Milliarden US-Dollar im Jahr 2024 auf 1,6 Milliarden US-Dollar im Jahr 2032 wachsen und im Prognosezeitraum (2024–2032) eine durchschnittliche jährliche Wachstumsrate (CAGR) von 23,4 % aufweisen. Der Ausbau der Forschungs- und Entwicklungsaktivitäten zur Verbesserung der Materialeigenschaften und die zunehmende Verbreitung von Elektrofahrzeugen sind die wichtigsten Markttreiber für das Marktwachstum.

    Globaler Marktüberblick über SiC-Leistungshalbleiter

    Quelle: Sekundärforschung, Primärforschung, MRFR-Datenbank, Analystenbericht

    Markttrends für SiC-Leistungshalbleiter

      • Steigende Verbreitung von Elektrofahrzeugen treibt das Marktwachstum an

    Die durchschnittliche jährliche Wachstumsrate (CAGR) des Marktes für SiC-Leistungshalbleiter wird durch zunehmende Initiativen vorangetrieben, wie z. B. die zunehmende Akquisition durch das US-Energieministerium für NREL-geführte Analysen mit dem Ziel, die Herstellungskosten von SiC-Leistungselektronik zu senken. Dies könnte diese Trends weiter unterstützen und die die Möglichkeiten eines robusteren Marktes. Die Welt verändert sich rasant und wendet sich erneuerbaren Energien zu. Alle Sektoren, Regierungsinstitute und Marktteilnehmer konzentrieren sich verstärkt auf den Aufbau einer Infrastruktur für Elektrofahrzeuge und die Steigerung der Nachfrage nach Elektrofahrzeugen.

    Laut der Internationalen Energieagentur (IEA) waren im Jahr 2021 16,5 Millionen Elektroautos auf den Straßen, eine Verdreifachung in nur drei Jahren und im Vergleich zu 2020 eine enorme Zahl. Die Verkäufe von Elektroautos stiegen und verdoppelten sich in China, expandierten in Europa weiter und erreichten 2021 in den USA ihren Höhepunkt. Diese Daten deuten darauf hin, dass die Marktdurchdringung von Elektrofahrzeugen enorm zunimmt, was sich positiv auf die Umwelt und den Markt für SiC-Leistungshalbleiter auswirken kann. SiC ist bei hohen Spannungen hocheffizient und ermöglicht schnelle Batterieladezeiten, die mit denen herkömmlicher Fahrzeuge vergleichbar sind. Siliziumkarbid-Leistungselektronik ermöglicht den Ausbau von 800-Volt-Antriebssystemen und ebnet so den Weg für leichtere Elektrofahrzeuge mit größerer Reichweite.

    Darüber hinaus drängen mehrere Akteure in den Markt für SiC-Leistungshalbleiter, um das Potenzial der Nachfrage nach Cleantech zu nutzen. So gab die NoMIS Power Group im April 2021 bekannt, dass sie Module, SiC-Leistungshalbleiterbauelemente und Dienstleistungen entwickeln, herstellen und verkaufen will, um Entwickler von Energiemanagementprodukten zu unterstützen und so den Umsatz auf dem Markt für SiC-Leistungshalbleiter zu steigern.

    Der Energieverlust von SiC während der Rückheilungsphase beträgt nur 1 % des Energieverlusts von Silizium, was zu einer enormen Diskrepanz in der Effizienz des Materials führt. Das nahezu fehlende Reststrom ermöglicht ein schnelleres Abschalten und reduziert die Verluste. Da weniger Energie abgeführt werden muss, kann ein SiC-Bauelement mit höheren Frequenzen schalten und die Effizienz steigern. Die geringere Größe, Effizienz und das geringere Gewicht von SiC im Vergleich zu anderen Materialien ermöglichen eine höherwertige Lösung oder ein kleineres Design mit reduziertem Kühlbedarf. Daher ist die Einführung von SiC-Leistungshalbleitern ein wichtiger Faktor, der das Wachstum des SiC-Leistungshalbleitermarktes voraussichtlich vorantreiben wird.

    Einblicke in das Marktsegment SiC-Leistungshalbleiter:

    Einblicke in SiC-Leistungshalbleiterbauelemente

    Die Marktsegmentierung von SiC-Leistungshalbleitern umfasst diskrete SiC-Bauelemente (MOSFETs, Dioden und Module) und SiC-Bare-Die-Bauelemente. Das Segment der diskreten SiC-Bauelemente dominierte den Markt und erzielte im Prognosezeitraum den größten Umsatz. Mehrere Unternehmen bringen SiC-basierte MOSFETs auf den Markt, um von einer potenziell steigenden Nachfrage in verschiedenen Branchen zu profitieren.

    August 2022: Die Toshiba Corporation stellte ihre 650-V- und 1200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs der 3. Generation vor, die die Schaltverluste in Industrieanlagen um 20 % reduzierten.

    Einblicke in die Anwendung von SiC-Leistungshalbleitern

    Die Marktsegmentierung für SiC-Leistungshalbleiter umfasst nach Anwendung HF-Geräte und Mobilfunkbasisstationen, Stromversorgung und Wechselrichter, Stromnetze, EV-Motoren, industrielle Motorantriebe, Eisenbahnantriebe und mehr. Die Kategorie der EV-Motoren erzielte im Prognosezeitraum aufgrund der zunehmenden Verbreitung von SiC-Halbleitern in Elektrofahrzeugen den höchsten Umsatz. Siliziumkarbid-Halbleiter (SiC) bieten Eigenschaften wie Langlebigkeit für Hochfrequenzschalter und geringe Energieverluste, was sie ideal für den Einsatz in Konvertern, Ladegeräten und Wechselrichtern macht.

    Abbildung 1: Markt für SiC-Leistungshalbleiter nach Anwendung, 2022 & 2032 (Milliarden USD)

    Markt für SiC-Leistungshalbleiter nach Anwendung, 2022 & 2032

    Quelle: Sekundärforschung, Primärforschung, MRFR-Datenbank und Analystenbewertung

    Einblicke in die Wafergröße von SiC-Leistungshalbleitern

    Die Marktsegmentierung für SiC-Leistungshalbleiter basierend auf der Wafergröße umfasst 2 Zoll, 4 Zoll sowie 6 Zoll und mehr. Die Kategorie 6 Zoll und mehr generierte im Prognosezeitraum aufgrund der großtechnischen Produktion von Siliziumkarbid-Wafern den höchsten Umsatz. Diese Wafer ermöglichen auch die Herstellung von Galliumnitrid (GaN)-Bauelementen, einschließlich Leistungsbauelementen und Leuchtdioden (LED).

    Einblicke für Endnutzer von SiC-Leistungshalbleitern

    Die Marktsegmentierung für SiC-Leistungshalbleiter, basierend auf Endnutzern, umfasst Telekommunikation, Energie & Strom, Automobil, Industrie, Elektronik und andere. Das Energie- & Stromsegment wird den Markt im Prognosezeitraum dominieren. SiC-Halbleiterbauelemente bieten dort eine Vielzahl von Vorteilen. Beispielsweise senken Siliziumkarbid (SiC)-Halbleiterbauelemente wie Dioden und MOSFETs die Systemkosten, minimieren die Komponentengröße und verbessern die Energieeffizienz beim Laden von Elektrofahrzeugen.

    Regionale Einblicke in SiC-Leistungshalbleiter

    Nach Regionen sortiert, bietet die Studie Markteinblicke für Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik und den Rest der Welt. Der Markt für SiC-Leistungshalbleiter im Asien-Pazifik-Raum wird diesen Markt dominieren. Die Präsenz führender Marktteilnehmer dürfte das Marktwachstum in der Region vorantreiben. Die steigenden Investitionen in Entwicklung und Fertigung in der gesamten Region tragen ebenfalls zum Marktwachstum bei. So kündigte Toshiba Electronic Components and Storage Co., Ltd. im März 2022 eine Investition im Wert von 100 Milliarden JPY (839 Millionen USD) in den Kapazitätsausbau von Leistungskomponenten an.

    Die wichtigsten im Marktbericht untersuchten Länder sind die USA, Kanada, Deutschland, Frankreich, Großbritannien, Italien, Spanien, China, Japan, Indien, Australien, Südkorea und Brasilien.

    Abbildung 2: MARKTANTEIL VON SiC-LEISTUNGSHALBLEITERN NACH REGION 2022 (%)

    MARKTANTEIL VON SiC-LEISTUNGSHALBLEITERN NACH REGION 2022

    Quelle: Sekundärforschung, Primärforschung, MRFR-Datenbank und Analystenbericht

    Der nordamerikanische Markt für SiC-Leistungshalbleiter nimmt den zweitgrößten Marktanteil ein. Die Konzentration namhafter Akteure in dieser Region ermutigt die Hersteller von Leistungselektronik, innovative SiC-Halbleiterbauelemente für eine bessere Effizienz einzusetzen. Darüber hinaus ergreifen führende regionale Akteure strategische Initiativen, die das Wachstum der Region vorantreiben. Darüber hinaus hielt der US-amerikanische Markt für SiC-Leistungshalbleiter den größten Marktanteil, und der kanadische Markt für SiC-Leistungshalbleiter war der am schnellsten wachsende Markt in Europa.

    Der europäische Markt für SiC-Leistungshalbleiter wird voraussichtlich zwischen 2024 und 2032 die schnellste jährliche Wachstumsrate (CAGR) aufweisen. Dies ist auf die zunehmende Einführung fortschrittlicher Technologien und Halbleiter in zahlreichen Sektoren zurückzuführen. Darüber hinaus hielt der deutsche Markt für SiC-Leistungshalbleiter den größten Marktanteil, und der britische Markt für SiC-Leistungshalbleiter war der am schnellsten wachsende Markt in Europa.

    Wichtige Marktteilnehmer für SiC-Leistungshalbleiter & Wettbewerbseinblicke

    Führende Marktteilnehmer investieren massiv in Forschung und Entwicklung, um ihre Produktlinien zu erweitern und so das Wachstum des Marktes für SiC-Leistungshalbleiter weiter voranzutreiben. Marktteilnehmer ergreifen zudem verschiedene strategische Maßnahmen, um ihre Präsenz zu erweitern. Wichtige Marktentwicklungen umfassen die Einführung neuer Produkte, vertragliche Vereinbarungen, Fusionen und Übernahmen, höhere Investitionen und die Zusammenarbeit mit anderen Unternehmen. Um sich in einem wettbewerbsintensiveren und aufstrebenden Marktumfeld zu behaupten und zu bestehen, muss die SiC-Leistungshalbleiterindustrie kostengünstige Produkte anbieten.

    Die lokale Fertigung zur Minimierung der Betriebskosten ist eine der wichtigsten Geschäftsstrategien der Hersteller in der SiC-Leistungshalbleiterindustrie, um Kunden zu profitieren und den Markt zu vergrößern. Wichtige Akteure auf dem Markt für SiC-Leistungshalbleiter, darunter WOLFSPEED, INC., STMicroelectronics, ROHM CO., LTD., Fuji Electric Co., Ltd., Mitsubishi Electric Corporation, Texas Instruments Incorporated und andere, versuchen, die Marktnachfrage durch Investitionen in Forschung und Entwicklung zu steigern.

    Hitachi Ltd (Hitachi) ist ein internationaler Mischkonzern mit Präsenz in den Bereichen Informationstechnologie, Elektronik, Energiesysteme, soziale Infrastruktur, Industriesysteme und Baumaschinen. Das Unternehmen produziert und vertreibt Informations- und Telekommunikationssysteme, Energiesysteme, soziale und industrielle Systeme, Baumaschinen, elektronische Systeme, Automobilsysteme sowie intelligente Lebens- und umweltfreundliche Systeme. Im Juni 2021 plant Hitachi, ein japanisches Elektronikunternehmen, seine bestehende Präsenz in Hillsboro durch den Bau eines riesigen Halbleiterforschungslabors zu erweitern, um mit Fertigungskunden in den USA bei der Entwicklung neuer Technologien zusammenzuarbeiten.

    Infineon Technologies AG (Infineon) ist ein Anbieter von Halbleiterlösungen. Das Unternehmen entwirft, entwickelt, fertigt und vertreibt über seine Tochtergesellschaften anwendungsspezifische ICs, Automotive-System-ICs, Dioden, Evaluierungsplatinen sowie Produkte zum Schutz vor elektrostatischer Entladung und elektromagnetischen Störungen. Das Angebot umfasst Mikrocontroller, Hochfrequenz- und Wireless-Steuerungen, Sicherheits-ICs, Smartcard-ICs, Sensoren, Schnittstellen und Transistorprodukte. Im April 2021 führte die Infineon Technologies AG ein neues EasyPACK 2B-Modul für ihre 1200-V-Entwicklungslinie ein. Das Modul weist eine dreistufige Active-NPC-Topologie (ANPC) auf, die TRENCHSTOP IGBT7-Bauelemente, CoolSiC-MOSFETs, NTC-Temperatursensoren und Pins mit PressFIT-Kontakttechnologie umfasst.

    Zu den wichtigsten Unternehmen im Markt für SiC-Leistungshalbleiter gehören

      • WOLFSPEED, INC.

      • ROHM CO., LTD.

      • Fuji Electric Co., Ltd.

      • Mitsubishi Electric Corporation

      • Texas Instruments Incorporated

      • Infineon Technologies AG

      • Semikron Danfoss, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd.

      • Renesas Electronics Corporation

    Entwicklungen in der SiC-Leistungshalbleiterindustrie

    Juli 2022: SemiQ stellte seinen Siliziumkarbid-Leistungsschalter der 2. Generation vor, einen 1200-V-80-mΩ-SiCMOSFET, und erweiterte damit sein Portfolio an SiC-Leistungsbauelementen. Der neue MOSFET ergänzt die bestehenden SiC-Gleichrichter des Unternehmens mit 650 V, 1200 V und 1700 V, die einen hohen Wirkungsgrad für Hochleistungsanwendungen wie Elektrofahrzeuge erzielen.

    Mai 2022: STMicroelectronics gab seine Partnerschaft mit Semikron bekannt. Ziel ist die Bereitstellung von Siliziumkarbid (SiC)-Technologie für die von dem Unternehmen gelieferten eMPack-Leistungsmodule für Elektrofahrzeuge (EV).

    Marktsegmentierung für SiC-Leistungshalbleiter:

    Ausblick für SiC-Leistungshalbleiterbauelemente

      • SiC-Diskret Bauelemente

        • MOSFET

        • Diode

        • Modul

      • SiC-Bare-Die-Bauelemente

    Anwendungsausblick für SiC-Leistungshalbleiter

      • HF-Bauelemente & Mobilfunkbasisstation

      • Stromversorgung & Wechselrichter

      • Stromnetze

      • EV-Motor

      • Industrielle Motorantriebe

      • Eisenbahntraktion

      • Andere

    SiC-Leistungshalbleiter-Wafer-Größenausblick

      • 2 Zoll

      • 4 Zoll

      • 6 Zoll und mehr

    SiC-Leistung Ausblick für Halbleiter-Endverbraucher

      • Telekommunikation

      • Energie & Strom

      • Automobilindustrie

      • Industrie

      • Elektronik

      • Sonstige

    Regionaler Ausblick für SiC-Leistungshalbleiter

      • Norden Amerika

        • USA

        • Kanada

      • Europa

        • Deutschland

        • Frankreich

        • Großbritannien

        • Italien

        • Spanien

      • Rest von Europa

      • Asien-Pazifik

        • China

        • Japan

        • Indien

        • Australien

        • Südkorea

        • Australien

        • Restlicher Asien-Pazifik-Raum

      • Der Rest Welt

        • Naher Osten

        • Afrika

        • Lateinamerika

    1 Zusammenfassung
    1.1 Prolog 15
    2 Markteinführung
    2.1 Definition 18
    2.2 Umfang der Studie 18
    2.3 Liste der Annahmen 19
    2.4 Marktstruktur 19
    3 Forschungsmethodik
    3.1 Forschungsprozess 21
    3.2 Prognosemodell 25
    4 Marktdynamik
    4.1 Einleitung 27
    4.2 Treiber 28
    4.2.1 Steigende Nachfrage nach SiC-Leistungshalbleitern aufgrund von Vorteilen wie hoher Wärmeleitfähigkeit 28
    4.2.2 Steigende Nachfrage nach Leistungselektronikmodulen in verschiedenen Branchen 28
    4.2.3 Zunahme der Installation von Photovoltaikmodulen zur Stromerzeugung 28
    4.2.4 Einflussanalyse 29
    4.3 Einschränkungen 29
    4.3.1 Designkomplexität und hohe Kosten von SiC-MOSFETs 29
    4.3.2 Verfügbarkeit von GaN als Ersatz für SiC 29
    4.3.3 Analyse der Auswirkungen von Einschränkungen 30
    4.4 Chancen 30
    4.4.1 Einführung der Mobilfunktechnologie der fünften Generation (5G) 30
    4.4.2 Steigende Verbreitung von Elektrofahrzeugen 31
    5 Marktfaktoranalyse
    5.1 Lieferkettenanalyse 33
    5.1.1 Rohstofflieferanten 33
    5.1.2 Hersteller von SiC-Wafern/-Substraten 33
    5.1.3 Systemintegratoren/-assembler 34
    5.1.4 Distributoren/Value-Added Reseller (VARs) 34
    5.1.5 Endnutzer 34
    5.2 Porters fünf Kräfte Modell 35
    5.2.1 Bedrohung durch neue Marktteilnehmer 35
    5.2.2 Verhandlungsmacht der Lieferanten 35
    5.2.3 Bedrohung durch Ersatzprodukte 36
    5.2.4 Verhandlungsmacht der Käufer 36
    5.2.5 Intensität der Rivalität 36
    6 Marktwarnungen
    6.1 Auswirkungsanalyse neuer Technologien 38
    7 Globaler Markt für SiC-Leistungshalbleiter nach Bausteinen
    7.1 Übersicht 40
    7.1.1 Diskrete SiC-Bauelemente 40
    7.1.1.1 MOSFET 40
    7.1.1.2 Diode 40
    7.1.1.3 Modul 40
    7.1.2 Bare-Die-Bauelemente aus SiC 40
    8 Globaler Markt für SiC-Leistungshalbleiter nach Wafergröße
    8.1 Übersicht 44
    8.1.1 2 Zoll 44
    8.1.2 4 Zoll 44
    8.1.3 6 Zoll und mehr 44
    9 Globaler Markt für SiC-Leistungshalbleiter nach Anwendung
    9.1 Übersicht 47
    9.1.1 HF-Geräte und Mobilfunkbasisstationen 47
    9.1.2 Stromversorgung und Wechselrichter 47
    9.1.3 Stromnetze 47
    9.1.4 EV-Motor 47
    9.1.5 Industrielle Motorantriebe 48
    9.1.6 Schienenverkehr 48
    9.1.7 Sonstige 48
    10 Globaler Markt für SiC-Leistungshalbleiter nach Endverbraucher
    10.1 Übersicht 51
    10.1.1 Telekommunikation 51
    10.1.2 Energie und Energie 51
    10.1.3 Automobil 51
    10.1.4 Industrie 51
    10.1.5 Elektronik 51
    10.1.6 Sonstige 51
    11 Globaler Markt für SiC-Leistungshalbleiter nach Regionen
    11.1 Einführung 55
    11.1.1 Nordamerika 56
    11.1.1.1 USA 61
    11.1.1.2 Kanada 63
    11.1.1.3 Mexiko 65
    11.1.2 Europa 67
    11.1.2.1 Großbritannien 71
    11.1.2.2 Deutschland 73
    11.1.2.3 Frankreich 75
    11.1.2.4 Restliches Europa 77
    11.1.3 Asien-Pazifik 79
    11.1.3.1 China 84
    11.1.3.2 Japan 86
    11.1.3.3 Indien 88
    11.1.3.4 Südkorea 90
    11.1.3.5 Restlicher asiatisch-pazifischer Raum 92
    11.1.4 Rest der Welt 94
    11.1.4.1 Naher Osten und Afrika 98
    11.1.4.2 Lateinamerika 100
    12 Wettbewerbslandschaft
    12.1 Wettbewerbslandschaft 103
    13 Unternehmensprofil
    13.1 Infineon Technologies AG 106
    13.1.1 Unternehmensübersicht 106
    13.1.2 Finanzübersicht 106
    13.1.3 Produkt-/Lösungs-/Serviceangebote 107
    13.1.4 Wichtige Entwicklungen 107
    13.1.5 SWOT-Analyse 107
    13.1.6 Schlüsselstrategie 107
    13.2 Cree Inc. 108
    13.2.1 Unternehmensübersicht 108
    13.2.2 Finanzübersicht 108
    13.2.3 Produkt-/Lösungs-/Serviceangebote 109
    13.2.4 Wichtige Entwicklungen 109
    13.2.5 SWOT-Analyse 110
    13.2.6 Schlüsselstrategie 110
    13.3 ROHM Semiconductor 111
    13.3.1 Unternehmensübersicht 111
    13.3.2 Finanzübersicht 111
    13.3.3 Produkt-/Lösungs-/Dienstleistungsangebot 112
    13.3.4 Wichtige Entwicklungen 112
    13.3.5 Schlüsselstrategie 112
    13.4 STMicroelectronics NV 113
    13.4.1 Unternehmensübersicht 113
    13.4.2 Finanzielle Entwicklung 113
    13.4.3 Produkt-/Lösungs-/Dienstleistungsangebot 114
    13.4.4 Wichtige Entwicklungen 114
    13.4.5 SWOT-Analyse 115
    13.4.6 Schlüssel Strategie 115
    13.5 Fuji Electric Co. Ltd 116
    13.5.1 Unternehmensübersicht 116
    13.5.2 Finanzielle Entwicklung 116
    13.5.3 Produkt-/Lösungs-/Dienstleistungsangebote 117
    13.5.4 Wichtige Entwicklungen 117
    13.5.5 SWOT-Analyse 117
    13.5.6 Schlüsselstrategie 117
    13.6 ON Semiconductor Corporation 118
    13.6.1 Unternehmensübersicht 118
    13.6.2 Finanzielle Übersicht 118

    Marktsegmentierung für SiC-Leistungshalbleiter

    Ausblick auf SiC-Leistungshalbleiter (Mrd. USD, 2019–2032)

    • Diskrete SiC-Bauelemente

      • MOSFET

      • Diode

      • Modul

    • SiC-Bare-Die-Bauelemente

    Anwendungsausblick für SiC-Leistungshalbleiter (Mrd. USD, 2019–2032)

    • HF-Bauelemente & Mobilfunkbasisstation

    • Stromversorgung & Wechselrichter

    • Stromnetze

    • Elektromotoren

    • Industrielle Motorantriebe

    • Bahnantriebe

    • Sonstige

    Ausblick auf die Wafergröße von SiC-Leistungshalbleitern (Mrd. USD, 2019–2032)

    • 2 Zoll

    • 4 Zoll

    • 6 Zoll & Oben

    Ausblick für Endverbraucher von SiC-Leistungshalbleitern (Mrd. USD, 2019–2032)

    • Telekommunikation

    • Energie & Strom

    • Automobilindustrie

    • Industrie

    • Elektronik

    • Sonstige

    Regionaler Ausblick für SiC-Leistungshalbleiter (Mrd. USD, 2019–2032)

    • Ausblick Nordamerika (Mrd. USD, 2019–2032)

      • SiC-Leistungshalbleiter in Nordamerika nach Bauelementen

        • Diskrete SiC-Bauelemente

          • MOSFET

          • Diode

          • Modul

        • SiC-Bare-Die-Bauelemente

      • SiC-Leistungshalbleiter in Nordamerika nach Anwendung

        • HF-Bauelemente & Mobilfunkbasisstation

        • Stromversorgung & Wechselrichter

        • Stromnetze

        • Elektromotoren

        • Industrielle Motorantriebe

        • Bahnantriebe

        • Sonstige

      • SiC-Leistungshalbleiter in Nordamerika nach Wafergröße

        • 2 Zoll

        • 4 Zoll

        • 6 Zoll und größer

      • SiC-Leistungshalbleiter in Nordamerika nach Endverbraucher

        • Telekommunikation

        • Energie & Energie

        • Automobil

        • Industrie

        • Elektronik

        • Sonstige

      • US-Ausblick (Mrd. USD, 2019–2032)

      • US-SiC-Leistungshalbleiter nach Bauelementen

        • SiC-Diskrete Bauelemente

          • MOSFET

          • Diode

          • Modul

        • SiC-Bare-Die Geräte

      • US-SiC-Leistungshalbleiter nach Anwendung

        • HF-Geräte & Mobilfunkbasisstation

        • Stromversorgung & Wechselrichter

        • Stromnetze

        • Elektromotoren

        • Industrielle Motorantriebe

        • Bahnantriebe

        • Sonstige

      • US-SiC-Leistungshalbleiter nach Wafergröße

        • 2 Zoll

        • 4 Zoll

        • 6 Zoll und größer

      • US-SiC-Leistungshalbleiter nach Endverbraucher

        • Telekommunikation

        • Energie & Energie

        • Automobil

        • Industrie

        • Elektronik

        • Sonstige

      • KANADA-Ausblick (Mrd. USD, 2019–2032)

      • KANADA SiC-Leistungshalbleiter nach Bauelementen

        • SiC-Diskrete Bauelemente

          • MOSFET

          • Diode

          • Modul

        • SiC Bare Die Geräte

      • KANADA SiC-Leistungshalbleiter nach Anwendung

        • HF-Geräte & Mobilfunkbasisstation

        • Stromversorgung & Wechselrichter

        • Stromnetze

        • Elektromotoren

        • Industrielle Motorantriebe

        • Bahnantriebe

        • Sonstige

      • KANADISCHE SiC-Leistungshalbleiter nach Wafergröße

        • 2 Zoll

        • 4 Zoll

        • 6 Zoll und größer

      • KANADISCHE SiC-Leistungshalbleiter nach Endverbraucher

        • Telekommunikation

        • Energie & Energie

        • Automobil

        • Industrie

        • Elektronik

        • Sonstige

    • Ausblick Europa (Mrd. USD, 2019–2032)

      • SiC-Leistungshalbleiter in Europa nach Bauelementen

        • SiC-Diskrete Bauelemente

          • MOSFET

          • Diode

          • Modul

        • SiC-Bare-Die Geräte

      • Europa: SiC-Leistungshalbleiter nach Anwendung

        • HF-Geräte & Mobilfunkbasisstation

        • Stromversorgung & Wechselrichter

        • Stromnetze

        • Elektromotoren

        • Industrielle Motorantriebe

        • Bahnantriebe

        • Sonstige

      • SiC-Leistungshalbleiter in Europa nach Wafergröße

        • 2 Zoll

        • 4 Zoll

        • 6 Zoll und größer

      • SiC-Leistungshalbleiter in Europa nach Endverbraucher

        • Telekommunikation

        • Energie & Energie

        • Automobil

        • Industrie

        • Elektronik

        • Sonstige

      • Deutschland Ausblick (Mrd. USD, 2019–2032)

      • SiC-Leistungshalbleiter in Deutschland nach Bauelementen

        • SiC-Diskrete Bauelemente

          • MOSFET

          • Diode

          • Modul

        • SiC Bare Die Geräte

      • SiC-Leistungshalbleiter in Deutschland nach Anwendung

        • HF-Geräte & Mobilfunkbasisstation

        • Stromversorgung & Wechselrichter

        • Stromnetze

        • Elektromotoren

        • Industrielle Motorantriebe

        • Bahnantriebe

        • Sonstige

      • SiC-Leistungshalbleiter in Deutschland nach Wafergröße

        • 2 Zoll

        • 4 Zoll

        • 6 Zoll und größer

      • SiC-Leistungshalbleiter in Deutschland nach Endverbraucher

        • Telekommunikation

        • Energie & Energie

        • Automobil

        • Industrie

        • Elektronik

        • Sonstige

      • Ausblick Frankreich (Mrd. USD, 2019–2032)

      • SiC-Leistungshalbleiter in Frankreich nach Bauelementen

        • SiC-Diskrete Bauelemente

          • MOSFET

          • Diode

          • Modul

        • SiC-Bare-Die Geräte

      • SiC-Leistungshalbleiter in Frankreich nach Wafergröße

        • 2 Zoll

        • 4 Zoll

        • 6 Zoll und größer

      • SiC-Leistungshalbleiter in Frankreich nach Anwendung

        • HF-Geräte & Mobilfunkbasisstation

        • Stromversorgung & Wechselrichter

        • Stromnetze

        • Elektromotoren

        • Industrielle Motorantriebe

        • Bahnantriebe

        • Sonstige

      • SiC-Leistungshalbleiter in Frankreich nach Endverbraucher

        • Telekommunikation

        • Energie & Energie

        • Automobil

        • Industrie

        • Elektronik

        • Sonstige

      • Ausblick für Großbritannien (Mrd. USD, 2019–2032)

      • SiC-Leistungshalbleiter in Großbritannien nach Bauelementen

        • SiC-Diskrete Bauelemente

          • MOSFET

          • Diode

          • Modul

        • SiC-Bare-Die Geräte

      • SiC-Leistungshalbleiter in Großbritannien nach Anwendung

        • HF-Geräte & Mobilfunkbasisstation

        • Stromversorgung & Wechselrichter

        • Stromnetze

        • Elektromotoren

        • Industrielle Motorantriebe

        • Bahnantriebe

        • Sonstige

      • SiC-Leistungshalbleiter in Großbritannien nach Wafergröße

        • 2 Zoll

        • 4 Zoll

        • 6 Zoll und größer

      • SiC-Leistungshalbleiter in Großbritannien nach Endverbraucher

        • Telekommunikation

        • Energie & Energie

        • Automobil

        • Industrie

        • Elektronik

        • Sonstige

      • Ausblick Italien (Mrd. USD, 2019–2032)

      • SiC-Leistungshalbleiter in Italien nach Bauelementen

        • SiC-Diskrete Bauelemente

          • MOSFET

          • Diode

          • Modul

        • SiC-Bare-Die Geräte

      • ITALIEN: SiC-Leistungshalbleiter nach Anwendung

        • HF-Geräte & Mobilfunkbasisstation

        • Stromversorgung & Wechselrichter

        • Stromnetze

        • Elektromotoren

        • Industrielle Motorantriebe

        • Bahnantriebe

        • Sonstige

      • SiC-Leistungshalbleiter (ITALIEN) nach Wafergröße

        • 2 Zoll

        • 4 Zoll

        • 6 Zoll und größer

      • SiC-Leistungshalbleiter (ITALIEN) nach Endverbraucher

        • Telekommunikation

        • Energie & Energie

        • Automobil

        • Industrie

        • Elektronik

        • Sonstige

      • Spanien-Ausblick (Mrd. USD, 2019–2032)

      • SiC-Leistungshalbleiter in Spanien nach Bauelementen

        • SiC-Diskrete Bauelemente

          • MOSFET

          • Diode

          • Modul

        • SiC-Bare-Die Geräte

      • Spanische SiC-Leistungshalbleiter nach Anwendung

        • HF-Geräte & Mobilfunkbasisstation

        • Stromversorgung & Wechselrichter

        • Stromnetze

        • Elektromotoren

        • Industrielle Motorantriebe

        • Bahnantriebe

        • Sonstige

      • SiC-Leistungshalbleiter in Spanien nach Wafergröße

        • 2 Zoll

        • 4 Zoll

        • 6 Zoll und größer

      • SiC-Leistungshalbleiter in Spanien nach Endverbraucher

        • Telekommunikation

        • Energie & Energie

        • Automobil

        • Industrie

        • Elektronik

        • Sonstige

      • Ausblick für das übrige Europa (Mrd. USD, 2019–2032)

      • SiC-Leistungshalbleiter im übrigen Europa nach Bauelementen

        • SiC-Diskrete Bauelemente

          • MOSFET

          • Diode

          • Modul

        • SiC-Bare-Die Geräte

      • ÜBRIGES EUROPA: SiC-Leistungshalbleiter nach Anwendung

        • HF-Geräte & Mobilfunkbasisstation

        • Stromversorgung & Wechselrichter

        • Stromnetze

        • Elektromotoren

        • Industrielle Motorantriebe

        • Bahnantriebe

        • Sonstige

      • SiC-Leistungshalbleiter (Rest-Europa) nach Wafergröße

        • 2 Zoll

        • 4 Zoll

        • 6 Zoll und größer

      • SiC-Leistungshalbleiter (Rest-Europa) nach Endverbraucher

        • Telekommunikation

        • Energie und; Energie

        • Automobil

        • Industrie

        • Elektronik

        • Sonstige

    • Ausblick Asien-Pazifik (Mrd. USD, 2019–2032)

      • SiC-Leistungshalbleiter im asiatisch-pazifischen Raum nach Bauelementen

        • SiC-Diskrete Bauelemente

          • MOSFET

          • Diode

          • Modul

        • SiC-Bare-Die Geräte

      • SiC-Leistungshalbleiter im asiatisch-pazifischen Raum nach Anwendung

        • HF-Geräte & Mobilfunkbasisstation

        • Stromversorgung & Wechselrichter

        • Stromnetze

        • Elektromotoren

        • Industrielle Motorantriebe

        • Bahnantriebe

        • Sonstige

      • SiC-Leistungshalbleiter im asiatisch-pazifischen Raum nach Wafergröße

        • 2 Zoll

        • 4 Zoll

        • 6 Zoll und größer

      • SiC-Leistungshalbleiter im asiatisch-pazifischen Raum nach Endgröße Benutzer

        • Telekommunikation

        • Energie & Energie

        • Automobil

        • Industrie

        • Elektronik

        • Sonstige

      • China-Ausblick (Mrd. USD, 2019–2032)

      • SiC-Leistungshalbleiter in China nach Bauelementen

        • SiC-Diskrete Bauelemente

          • MOSFET

          • Diode

          • Modul

        • SiC-Bare-Die Geräte

      • SiC-Leistungshalbleiter aus China nach Anwendung

        • HF-Geräte & Mobilfunkbasisstation

        • Stromversorgung & Wechselrichter

        • Stromnetze

        • Elektromotoren

        • Industrielle Motorantriebe

        • Bahnantriebe

        • Sonstige

      • SiC-Leistungshalbleiter in China nach Wafergröße

        • 2 Zoll

        • 4 Zoll

        • 6 Zoll und größer

      • SiC-Leistungshalbleiter in China nach Endverbraucher

        • Telekommunikation

        • Energie & Energie

        • Automobil

        • Industrie

        • Elektronik

        • Sonstige

      • Ausblick für Japan (Mrd. USD, 2019–2032)

      • SiC-Leistungshalbleiter in Japan nach Bauelementen

        • SiC-Diskrete Bauelemente

          • MOSFET

          • Diode

          • Modul

        • SiC-Bare-Die Geräte

      • Japanische SiC-Leistungshalbleiter nach Wafergröße

        • 2 Zoll

        • 4 Zoll

        • 6 Zoll und größer

      • Japanische SiC-Leistungshalbleiter nach Anwendung

        • HF-Geräte & Mobilfunkbasisstation

        • Stromversorgung & Wechselrichter

        • Stromnetze

        • Elektromotoren

        • Industrielle Motorantriebe

        • Bahnantriebe

        • Sonstige

      • Japanische SiC-Leistungshalbleiter nach Endverbraucher

        • Telekommunikation

        • Energie & Energie

        • Automobil

        • Industrie

        • Elektronik

        • Sonstige

      • Ausblick Indien (Mrd. USD, 2019–2032)

      • SiC-Leistungshalbleiter in Indien nach Bauelementen

        • SiC-Diskrete Bauelemente

          • MOSFET

          • Diode

          • Modul

        • SiC-Bare-Die Geräte

      • SiC-Leistungshalbleiter in Indien nach Anwendung

        • HF-Geräte & Mobilfunkbasisstation

        • Stromversorgung & Wechselrichter

        • Stromnetze

        • Elektromotoren

        • Industrielle Motorantriebe

        • Bahnantriebe

        • Sonstige

      • SiC-Leistungshalbleiter in Indien nach Wafergröße

        • 2 Zoll

        • 4 Zoll

        • 6 Zoll und größer

      • SiC-Leistungshalbleiter in Indien nach Endverbraucher

        • Telekommunikation

        • Energie & Energie

        • Automobil

        • Industrie

        • Elektronik

        • Sonstige

      • Ausblick für Australien (Mrd. USD, 2019–2032)

      • SiC-Leistungshalbleiter in Australien nach Bauelementen

        • SiC-Diskrete Bauelemente

          • MOSFET

          • Diode

          • Modul

        • SiC-Bare-Die Geräte

      • Australische SiC-Leistungshalbleiter nach Wafergröße

        • 2 Zoll

        • 4 Zoll

        • 6 Zoll und größer

      • Australische SiC-Leistungshalbleiter nach Anwendung

        • HF-Geräte & Mobilfunkbasisstation

        • Stromversorgung & Wechselrichter

        • Stromnetze

        • Elektromotoren

        • Industrielle Motorantriebe

        • Bahnantriebe

        • Sonstige

      • SiC-Leistungshalbleiter in Australien nach Endverbraucher

        • Telekommunikation

        • Energie & Energie

        • Automobil

        • Industrie

        • Elektronik

        • Sonstige

      • Ausblick für den restlichen asiatisch-pazifischen Raum (Mrd. USD, 2019–2032)

      • SiC-Leistungshalbleiter im restlichen asiatisch-pazifischen Raum nach Bauelementen

        • SiC-Diskrete Bauelemente

          • MOSFET

          • Diode

          • Modul

        • SiC-Bare-Die Geräte

      • SiC-Leistungshalbleiter im Rest des asiatisch-pazifischen Raums nach Wafergröße

        • 2 Zoll

        • 4 Zoll

        • 6 Zoll und größer

      • SiC-Leistungshalbleiter im Rest des asiatisch-pazifischen Raums nach Anwendung

        • HF-Geräte & Mobilfunkbasisstation

        • Stromversorgung & Wechselrichter

        • Stromnetze

        • Elektromotoren

        • Industrielle Motorantriebe

        • Bahnantriebe

        • Sonstige

      • SiC-Leistungshalbleiter im Rest der Region Asien-Pazifik nach Endverbraucher

        • Telekommunikation

        • Energie & Energie

        • Automobil

        • Industrie

        • Elektronik

        • Sonstige

      • Ausblick für den Rest der Welt (Mrd. USD, 2019–2032)

      • SiC-Leistungshalbleiter im Rest der Welt nach Bauelementen

        • SiC-Diskrete Bauelemente

          • MOSFET

          • Diode

          • Modul

        • SiC-Bare-Die Geräte

      • Rest der Welt: SiC-Leistungshalbleiter nach Wafergröße

        • 2 Zoll

        • 4 Zoll

        • 6 Zoll und größer

      • Rest der Welt: SiC-Leistungshalbleiter nach Anwendung

        • HF-Geräte & Mobilfunkbasisstation

        • Stromversorgung & Wechselrichter

        • Stromnetze

        • Elektromotoren

        • Industrielle Motorantriebe

        • Bahnantriebe

        • Sonstige

      • SiC-Leistungshalbleiter (Rest der Welt) nach Endverbraucher

        • Telekommunikation

        • Energie & Energie

        • Automobil

        • Industrie

        • Elektronik

        • Sonstige

      • Ausblick für den Nahen Osten (Mrd. USD, 2019–2032)

      • SiC-Leistungshalbleiter im Nahen Osten nach Bauelementen

        • SiC-Diskrete Bauelemente

          • MOSFET

          • Diode

          • Modul

        • SiC-Bare-Die Geräte

      • SiC-Leistungshalbleiter im Nahen Osten nach Anwendung

        • HF-Geräte & Mobilfunkbasisstation

        • Stromversorgung & Wechselrichter

        • Stromnetze

        • Elektromotoren

        • Industrielle Motorantriebe

        • Bahnantriebe

        • Sonstige

      • SiC-Leistungshalbleiter im Nahen Osten nach Wafergröße

        • 2 Zoll

        • 4 Zoll

        • 6 Zoll und größer

      • SiC-Leistungshalbleiter im Nahen Osten nach Endverbraucher

        • Telekommunikation

        • Energie & Energie

        • Automobil

        • Industrie

        • Elektronik

        • Sonstige

      • Afrika-Ausblick (Mrd. USD, 2019–2032)

      • SiC-Leistungshalbleiter in Afrika nach Bauelementen

        • SiC-Diskrete Bauelemente

          • MOSFET

          • Diode

          • Modul

        • SiC-Bare-Die Geräte

      • Afrikanische SiC-Leistungshalbleiter nach Anwendung

        • HF-Geräte & Mobilfunkbasisstation

        • Stromversorgung & Wechselrichter

        • Stromnetze

        • Elektromotoren

        • Industrielle Motorantriebe

        • Bahnantriebe

        • Sonstige

      • SiC-Leistungshalbleiter in Afrika nach Wafergröße

        • 2 Zoll

        • 4 Zoll

        • 6 Zoll und größer

      • SiC-Leistungshalbleiter in Afrika nach Endverbraucher

        • Telekommunikation

        • Energie & Energie

        • Automobil

        • Industrie

        • Elektronik

        • Sonstige

      • Ausblick Lateinamerika (Mrd. USD, 2019–2032)

      • SiC-Leistungshalbleiter in Lateinamerika nach Bauelementen

        • SiC-Diskrete Bauelemente

          • MOSFET

          • Diode

          • Modul

        • SiC-Bare-Die Geräte

      • SiC-Leistungshalbleiter in Lateinamerika nach Anwendung

        • HF-Geräte & Mobilfunkbasisstation

        • Stromversorgung & Wechselrichter

        • Stromnetze

        • Elektromotoren

        • Industrielle Motorantriebe

        • Bahnantriebe

        • Sonstige

      • SiC-Leistungshalbleiter in Lateinamerika nach Wafergröße

        • 2 Zoll

        • 4 Zoll

        • 6 Zoll und größer

      • SiC-Leistungshalbleiter in Lateinamerika nach Endverbraucher

        • Telekommunikation

        • Energie &Ampere; Macht

        • Automobil

        • Industrie

        • Elektronik

        • Andere

    SiC Power Semiconductor Market Research Report – Forecast to 2032 Infographic
    Free Sample Request

    Kindly complete the form below to receive a free sample of this Report

    Customer Strories

    “I am very pleased with how market segments have been defined in a relevant way for my purposes (such as "Portable Freezers & refrigerators" and "last-mile"). In general the report is well structured. Thanks very much for your efforts.”

    Victoria Milne Founder
    Case Study

    Chemicals and Materials